RXH125N03 时间：2025/12/25 13:17:55 阅读：14

RXH125N03是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，能够在高温和高电压环境下稳定工作。RXH125N03的设计目标是满足现代电子设备对小型化、高效能和高可靠性的需求，适用于DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电源及各类消费类电子产品中的功率控制模块。
　　该MOSFET封装形式为TO-252（DPAK），具备优良的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）自动化生产流程。其额定电压为30V，最大持续漏极电流可达120A，适用于中大功率应用场景。此外，RXH125N03还具备优异的抗雪崩能力和较强的ESD耐受性，提升了系统在异常工况下的安全性和鲁棒性。作为国产功率器件的代表型号之一，它在替代进口同类产品方面表现出较高的性价比优势和技术成熟度，已被众多电源设计工程师所采纳。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：120A @ TC=25℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.25mΩ @ VGS=10V, ID=60A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=60A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：10000pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

RXH125N03采用先进的沟槽型场效应晶体管结构设计，结合优化的硅片工艺，在确保高电流承载能力的同时显著降低了导通损耗。其核心优势在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至1.25mΩ，这使得器件在大电流导通状态下产生的功耗极小，有效提升整体系统效率并减少散热设计压力。同时，该MOSFET在VGS=4.5V时仍能保持1.5mΩ的低阻状态，说明其具备良好的低压驱动兼容性，适用于以3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场合，无需额外增加电平转换或驱动电路。
　　器件具有出色的动态性能表现，输入电容Ciss典型值为10000pF，配合较低的栅极电荷Qg，使其能够实现快速开关动作，从而降低开关过程中的能量损耗，特别适用于高频PWM调制环境如同步整流、DC-DC变换器等。其反向恢复时间trr仅为25ns，表明体二极管响应速度快，有助于抑制换流过程中可能出现的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统的电磁兼容性。
　　在可靠性方面，RXH125N03通过严格的工业级测试标准，支持-55℃至+175℃的工作结温范围，适应极端温度条件下的长期运行。内置的热保护机制与高强度封装结构共同保障了器件在过载、短路或瞬态冲击下的安全性。TO-252封装不仅提供良好的机械强度，还能通过PCB铜箔实现高效散热，进一步增强热管理能力。综合来看，这款MOSFET在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是中高端功率应用的理想选择之一。

应用

RXH125N03主要应用于各类需要高效功率切换与控制的电子系统中。常见用途包括但不限于：大电流DC-DC降压/升压转换器，尤其用于服务器电源、通信设备电源模块及车载电子供电单元；电机驱动电路，如电动工具、无人机电调、工业自动化控制系统中的H桥驱动；电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，因其低导通电阻可减少能量损耗并延长续航时间；此外也广泛用于LED恒流驱动电源、笔记本电脑适配器、快充充电器以及太阳能逆变器等绿色能源相关产品。
　　由于其支持高达120A的连续漏极电流和优秀的热稳定性，该器件特别适合用于高密度电源设计，帮助缩小整体体积并提升功率密度。在多相并联供电架构中，多个RXH125N03可并联使用以分担电流负载，进一步提升系统可靠性。同时，其良好的高频响应特性使其成为同步整流拓扑中的理想选择，显著优于传统肖特基二极管方案，提高了转换效率并降低了温升。随着国产化替代趋势加速，RXH125N03已在众多工业级和消费级电源设计中取代国际品牌类似器件，展现出强劲的市场竞争力和技术实力。