RVT1H101M1010 是一种瞬态电压抑制器 (TVS) 芯片,主要用于电路中的过电压保护。该器件具有快速响应时间、高浪涌能力以及低漏电流的特性,能够有效防止因雷击、负载切换或其他原因导致的瞬态过电压对敏感电子设备造成的损害。
这种 TVS 二极管采用了先进的半导体工艺制造,适用于各种工业和消费类电子产品中的 ESD 和雷击保护应用。
额定电压:15V
峰值脉冲功率:600W
最大反向漏电流:1uA
击穿电压:17.8V
箝位电压:28.4V
结电容:8pF
响应时间:1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
RVT1H101M1010 提供了卓越的瞬态电压抑制性能,其关键特性包括以下几点:
1. 快速响应时间:可以迅速响应瞬态电压,避免敏感元件受到损坏。
2. 高可靠性:即使在恶劣的工作环境下,也能保持稳定的工作状态。
3. 低漏电流:确保在正常工作条件下几乎不会对电路产生影响。
4. 小型封装:采用紧凑设计,节省 PCB 空间,便于集成到小型化产品中。
5. 符合 RoHS 标准:环保无铅设计,适合现代绿色电子产品的开发需求。
RVT1H101M1010 广泛应用于需要过电压保护的各种场景,典型应用领域如下:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源线和信号线保护。
2. 工业控制设备:用于 PLC、传感器、继电器模块等工业设备中的保护。
3. 通信设备:如路由器、交换机、基站等网络设备中的接口保护。
4. 汽车电子:汽车信息娱乐系统、车载导航系统等关键部件中的保护。
5. 医疗设备:监护仪、超声波设备等精密医疗仪器中的保护。
P6KE15CA, SMAJ15A, SMBJ15CA