时间：2025/12/29 14:18:32
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RURU5060是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能、低功耗MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等多种工业和消费类电子应用。RURU5060采用紧凑的封装形式，便于在空间受限的设计中使用，并具备良好的热管理性能，以确保在高负载条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：100A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：200nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：双排扁平无引脚封装（DFN）5x6mm
功率耗散（PD）：150W（最大值）
RURU5060采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使其在高电压和大电流条件下仍能保持出色的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力和低热阻特性确保了在高负载工作环境下仍能保持稳定的温度表现，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
此外，RURU5060的封装设计优化了热管理性能，使其能够在有限的PCB空间中有效散热。该器件还具备出色的短路和过热保护能力，适用于对系统稳定性要求较高的应用场景。栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V和12V驱动电路，便于与多种控制芯片配合使用。
该MOSFET还具备快速开关特性，能够显著降低开关损耗，提高整体电源转换效率。其优异的动态性能使其适用于高频开关电源设计，如同步整流器、电机驱动器和高效率DC-DC转换器等应用。
RURU5060广泛应用于工业自动化设备、电动汽车（EV）充电系统、储能系统、服务器电源、通信设备电源、高功率LED照明驱动电路以及高性能计算设备中的电源管理模块。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的便携式电子产品，如高端笔记本电脑、智能移动电源和工业级电池管理系统（BMS）。
SiHH5060, IRF5060, IPW50R600CE, FDP5060
