时间：2025/12/29 14:11:58
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RURU100120 是一款由 Renesas Electronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高功率密度的电源管理应用中。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力的特点。RURU100120 的封装形式通常为 TO-263 或类似的表面贴装封装，适合在各种电源转换系统中使用，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压 (Vds)：100V
最大漏极电流 (Id)：20A
导通电阻 (Rds(on))：典型值 5.5mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
最大功耗 (Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
RURU100120 功率 MOSFET 具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。
首先，该器件采用了先进的沟槽栅技术，极大地降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 的典型值仅为 5.5mΩ，确保了在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。
其次，RURU100120 具有较高的电流处理能力，最大连续漏极电流为 20A，并且在短时间脉冲条件下可承受更高的峰值电流，适用于高功率密度的设计需求。
此外，该 MOSFET 的漏极-源极击穿电压高达 100V，使其能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种电源拓扑结构，如降压、升压和同步整流电路。
该器件的栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，与常见的 3.3V 或 5V 控制电路兼容，便于驱动设计。同时，其热阻较低，封装设计优化了散热性能，有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性。
最后，RURU100120 采用 TO-263（D2PAK）封装，支持表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性和系统的可靠性。
RURU100120 适用于多种高功率和高效率的电源管理场景。在 DC-DC 转换器中，它可作为主开关或同步整流器，显著降低导通损耗并提高转换效率。在电机驱动和负载开关应用中，其高电流能力和低 Rds(on) 有助于减少发热并提升系统响应速度。此外，该器件也适用于电源管理系统、服务器电源、电池管理系统（BMS）、工业电源和电信设备电源模块等场景。
IPD90N10S4-03, FDD8878, SiR178DP
