时间：2025/8/25 1:04:47
阅读：8
RURG8050是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于诸如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：180A
导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：H8Q
RURG8050的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流容量和耐压能力使其适用于高功率密度的设计。该MOSFET采用Rohm的先进沟槽技术，优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。
RURG8050的H8Q封装具有良好的热性能，有助于快速散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（可支持+10V至+20V），便于与不同类型的驱动电路兼容。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的可靠性。其高耐用性和稳定性使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电源设备中的理想选择。
RURG8050广泛应用于各种需要高效功率控制的电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池充电管理电路、电机控制模块以及高功率负载开关。此外，该器件也适用于UPS（不间断电源）、服务器电源系统以及电动工具和电动车的电池管理系统等场景。
SiR862DP-T1-GE3, IRF1404, FDP80N08A
