时间：2025/6/22 12:04:22
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FN18N681G500PSG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，专为高效率开关应用而优化。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种工业及消费类电子产品中的电源管理场景。
这款芯片主要应用于高频 DC-DC 转换器、同步整流电路以及负载切换等场合。其封装形式紧凑，有助于提高 PCB 布局灵活性并减少整体解决方案尺寸。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：37A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
开关速度（典型值）：12ns
结温范围：-55℃ 至 150℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频工作条件下的高效转换。
3. 内置 ESD 保护电路，增强器件的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，有效节省 PCB 空间。
5. 支持大电流操作，满足高功率应用场景需求。
6. 稳定的工作温度范围，确保恶劣环境下的可靠性。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流电路
4. 电机驱动与控制
5. 电池保护与管理
6. 工业自动化设备中的负载切换
7. 消费类电子产品的电源管理单元
IRFZ44N
FDP18N60
STP36NF06
