RURD860S 时间：2025/12/29 14:53:45 阅读：17

RURD860S 是一款由 Renesas Electronics 生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能功率转换和控制的电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、高电流承载能力等优点，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理、工业控制等多种应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：80A（最大）
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 8.6mΩ（典型值可能更低）
　　封装类型：TO-263（表面贴装型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

RURD860S 的核心优势在于其出色的导通性能和热稳定性。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。此外，RURD860S 具备良好的热管理能力，能够在高电流和高温环境下稳定运行，提升了器件的可靠性。
　　其封装采用TO-263形式，适合高功率密度设计，同时具备良好的散热性能，适用于紧凑型电源模块和电机驱动系统。RURD860S 还具有快速开关特性，使其在高频开关电源中表现出色，降低了开关损耗，提高了系统效率。
　　在可靠性方面，RURD860S 经过严格的测试和验证，能够在各种极端环境下保持稳定的性能。其高耐压特性（60V）使其适用于多种中高压应用场景，如电动车控制器、工业电源、储能系统等。

应用

RURD860S 主要用于各种需要高效率功率转换的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET能够实现高效率的能量转换，适用于通信设备、服务器电源、电池管理系统等。在电机控制系统中，RURD860S 可用于H桥驱动电路，提供高效的电机驱动能力。此外，该器件也广泛应用于开关电源（SMPS）、UPS不间断电源、太阳能逆变器和工业自动化设备中。
　　由于其高电流承载能力和良好的热管理性能，RURD860S 非常适合用于高功率密度的设计，例如电动汽车充电模块、便携式储能设备以及工业机器人驱动系统。它也常用于电源管理系统中的负载开关和电流控制电路，确保系统在高负载条件下仍能保持稳定运行。