时间:2025/12/27 12:03:01
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B39360X6895M100 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的滤波、耦合、旁路和去耦等应用。该器件属于 EPCOS 系列产品线,具有高可靠性与稳定性,适用于工业、汽车以及消费类电子设备中对电容性能要求较高的场合。该型号的封装尺寸为 1210(英制),即 3225 公制尺寸,额定电容值为 8.9 pF,公差为 ±20%,介质材料采用 NPO(C0G)类型,具备极佳的温度稳定性和低损耗特性。由于其优异的电气性能和小型化设计,B39360X6895M100 被广泛应用于射频(RF)电路、振荡器、谐振电路以及高频模拟信号处理模块中。
该电容器的工作温度范围通常在 -55°C 至 +125°C 之间,能够适应严苛的环境条件,特别适合用于高温或温度变化剧烈的应用场景。其额定电压为 100V DC,具备良好的耐压能力,能够在高压环境下长期稳定运行而不会发生击穿或性能劣化。此外,该器件符合 RoHS 指令要求,并通过 AEC-Q200 认证,表明其在汽车电子应用中的可靠性和耐用性得到了行业认可。
B39360X6895M100 的结构采用先进的叠层工艺制造,内部电极使用贵金属材料(如银钯合金),有效提升了导电性与抗迁移能力,同时降低了等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而提高了高频响应性能。这种设计使其在高频工作条件下仍能保持稳定的电容值和较低的能量损耗,是高频电路设计中理想的无源元件之一。
型号:B39360X6895M100
品牌:TDK / EPCOS
电容值:8.9pF
容差:±20%
介质材料:NPO(C0G)
封装尺寸:1210(3225 公制)
额定电压:100V DC
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
温度系数:0 ±30ppm/K
产品系列:B39360
应用等级:工业级、汽车级
认证标准:AEC-Q200, RoHS 合规
B39360X6895M100 作为一款高性能 NPO(C0G)介质的多层陶瓷电容器,具备卓越的电气稳定性与频率响应特性。其最显著的特点之一是温度系数极低,仅为 0 ±30ppm/K,这意味着在整个工作温度范围内,电容值几乎不随温度变化而发生漂移,确保了电路参数的高度一致性,特别适用于对精度要求极高的振荡电路、滤波器和定时电路中。
该器件采用 C0G 类陶瓷介质,属于 I 类陶瓷材料,具有非常低的介电损耗(tanδ ≤ 0.15%),即使在高频下也能维持优异的 Q 值表现,减少能量损失并提升系统效率。相比 X7R 或 Y5V 等 II 类介质电容器,C0G 材料不存在明显的电压依赖性或老化现象,因此在长期运行过程中电性能更加可靠和可预测。
在高频应用方面,B39360X6895M100 凭借其优化的内部电极结构和低 ESL、低 ESR 设计,在 GHz 级别的射频电路中表现出色。例如,在无线通信模块、蓝牙/Wi-Fi 射频前端、功率放大器匹配网络中,它能够提供精确且稳定的阻抗匹配功能,有助于提高信号完整性与传输效率。
此外,该电容器通过了 AEC-Q200 汽车级可靠性认证,意味着其在极端温度循环、湿度加载、机械振动等恶劣条件下仍能保持性能稳定,适用于发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统、ADAS 传感器等关键汽车电子系统。其 100V 的额定电压也使其可用于中高压模拟信号链中,如运算放大器偏置电路或 ADC 输入保护电路。
综上所述,B39360X6895M100 是一款兼具高稳定性、高频特性和工业/汽车级可靠性的 MLCC 器件,适用于各种对电容精度和长期稳定性有严格要求的应用场景。
该电容器广泛应用于需要高精度和高稳定性的电子电路中,尤其是在射频(RF)和微波领域表现突出。典型应用场景包括无线通信设备中的 LC 滤波器、晶体振荡器的负载电容配置、PLL(锁相环)电路中的相位调节元件、以及各类高频放大器的耦合与旁路电路。
在工业自动化系统中,B39360X6895M100 可用于精密测量仪器、数据采集模块和高速信号调理电路,以确保模拟信号路径的稳定性与准确性。由于其出色的温度特性和低老化率,它也被广泛用于时间基准电路和高精度时钟源设计中,例如 GPS 接收机、雷达系统和测试测量设备。
在汽车电子领域,该器件常用于车载导航系统、远程信息处理单元(Telematics)、高级驾驶辅助系统(ADAS)中的毫米波雷达前端以及车载摄像头模组的信号处理部分。其 AEC-Q200 认证和宽温工作能力使其能够满足汽车行业对元器件长寿命和高可靠性的严苛要求。
此外,在医疗电子设备如超声成像系统、病人监护仪等对信号完整性要求极高的设备中,该电容器也可用于高频模拟前端的滤波与耦合,确保生理信号采集的准确性和稳定性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑中的射频模块也有潜在应用,尤其在 5G 高频段前端模组中对小型化和高性能电容的需求日益增长。
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