时间：2025/12/29 14:56:23
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RURD6120 是一款由 ROHM（罗姆）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET采用P沟道设计，适用于开关电源、负载开关、电机控制等多种应用场景。
类型：P沟道
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：-4.1A
功耗(Pd)：1.25W
导通电阻(Rds(on))：32mΩ @ Vgs = -4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
RURD6120 MOSFET 具有低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中可以减少功率损耗，提高整体系统的效率。其P沟道结构设计使其在逻辑电平控制中表现优异，尤其适合需要负电压操作的电路环境。此外，RURD6120 的封装形式为SOT-223，这种小型化封装不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，有助于器件在高负载条件下保持稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从-8V到+8V的操作，使其能够兼容多种驱动电路设计。RURD6120 还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。其高可靠性设计使其成为许多高端电子设备的理想选择。
RURD6120 MOSFET 常用于电源管理模块、DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关电路、电机驱动器以及工业自动化控制系统中。其低导通电阻和高效能特性使其在需要节能和高稳定性的应用中表现尤为突出。
Si2301DS, IRML00401, FDC6303P
