FS15B105K160PKG 是一款高性能的场效应晶体管(FET)芯片,主要应用于高频、高速开关场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种电源管理及信号处理领域。
其封装形式为 PKG 类型,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号:FS15B105K160PKG
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):105V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):38nC(最大值)
总功耗(Ptot):170W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FS15B105K160PKG 的核心特点是具备高效率与快速切换能力。以下是具体特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗,提升系统效率。
2. 支持高达105V的工作电压,适应广泛的应用场景。
3. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频应用。
4. 高温稳定性,能够在极端环境下可靠运行。
5. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间。
6. 具备优异的热性能,确保长时间稳定运行。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率控制。
3. 逆变器和太阳能转换系统中的功率调节。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的高可靠性开关应用。
6. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的高效功率管理方案。
FS15B105K150PKG
IRFZ44N
STP16NF10L