您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RURD4120

RURD4120 发布时间 时间:2025/8/25 7:07:06 查看 阅读:10

RURD4120是一款由Renesas Electronics公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高功率和高效率的应用场景。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻和优良的热性能。其封装形式通常为TO-252或类似的表面贴装封装,适合在空间受限的设计中使用。RURD4120因其优异的电气特性和可靠性,被广泛应用于电源转换器、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:120A
  最大漏源电压:40V
  导通电阻:2.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:80nC
  最大工作温度:175°C
  封装类型:TO-252
  功率耗散:100W

特性

RURD4120的主要特性之一是其非常低的导通电阻,这使得该器件能够在高电流条件下保持较低的功率损耗。这种特性对于提高电源效率和减少散热需求至关重要。此外,RURD4120的高电流承载能力使其非常适合用于需要大电流输出的应用,例如电动车辆的电机控制器或高功率DC-DC转换器。
  另一个显著特点是RURD4120的高热稳定性。该器件采用了先进的封装技术和材料,能够在高温环境下稳定工作。这种热稳定性不仅延长了器件的使用寿命,还提高了系统的整体可靠性。在极端工作条件下,例如在高环境温度或连续高负载情况下,RURD4120依然能够保持良好的性能。
  此外,RURD4120还具有快速开关能力。由于其优化的内部结构设计,该器件的开关损耗较低,从而进一步提高了系统的效率。这对于高频开关应用尤为重要,例如在开关电源(SMPS)和逆变器中,RURD4120能够有效地减少能量损失并提高响应速度。
  最后,RURD4120的封装形式设计使其易于集成到各种电路设计中。TO-252封装不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,简化了生产流程并提高了制造效率。这种封装形式也使得RURD4120在PCB上的布局更加灵活。

应用

RURD4120的典型应用包括但不限于电源管理系统、电动车辆的电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备中的功率模块以及高功率DC-DC转换器。在这些应用中,RURD4120能够提供高效、稳定的功率控制解决方案。例如,在电动车辆中,RURD4120可以用于管理电池的充放电过程,确保电池组在最佳状态下工作,从而提高车辆的整体能效和续航能力。
  在工业自动化领域,RURD4120常用于电机驱动器中,控制电机的转速和扭矩。由于其高电流承载能力和快速响应特性,RURD4120能够满足高精度控制的需求,确保机械设备运行的稳定性和可靠性。
  在电源管理系统中,RURD4120可用于实现高效的能量转换和分配。例如,在数据中心的服务器电源中,RURD4120可以作为主要的功率开关器件,帮助降低能耗并提高电源的转换效率。这不仅有助于降低运营成本,还能减少碳排放,符合环保要求。
  此外,RURD4120还适用于各种类型的逆变器设计,包括太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。在这些应用中,RURD4120的高效率和高可靠性使其成为理想的选择,能够有效地将直流电转换为交流电,并在电网故障时提供持续的电力支持。

替代型号

RURD4120的替代型号包括RURD4130和RURD4110,它们在性能和参数上与RURD4120相似,可以根据具体需求选择合适的替代品。

RURD4120推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RURD4120资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

RURD4120参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品Ultra Fast Recovery Rectifiers
  • 配置Single
  • 反向电压1200 V
  • 正向电压下降2.1 V
  • 恢复时间90 ns
  • 正向连续电流4 A
  • 最大浪涌电流40 A
  • 反向电流 IR100 uA
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-251
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 最小工作温度- 65 C