RUR620 时间：2025/12/29 15:18:06 阅读：14

RUR620 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和开关应用设计，具备较低的导通电阻和高耐压特性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等电路。RUR620 采用紧凑的表面贴装封装（通常为 TSOP 或类似的功率封装），有助于节省电路板空间并提高系统可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id：6.0 A（在 25°C 下）
　　功耗 Pd：1.2 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.22 Ω（在 Vgs=10V）
　　栅极电荷 Qg：14 nC（典型值）
　　封装形式：TSOP

特性

RUR620 MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。其 60V 的漏源耐压能力使其适用于多种中低压电源系统，如电池供电设备、便携式电子产品和小型电机控制电路。此外，RUR620 具备较高的热稳定性和过载能力，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。该器件的栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 20V），可兼容多种驱动电路设计，包括使用逻辑电平驱动的应用。其封装形式支持表面贴装工艺，提高了制造效率和产品可靠性。
　　RUR620 的另一个显著特性是其快速开关能力，这得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少了开关过程中的能量损耗。这种特性对于高频开关电源（如 DC-DC 转换器和同步整流器）尤为重要。此外，RUR620 在设计上具有良好的抗静电能力和过热保护性能，有助于防止因外部应力或异常工作条件导致的损坏。

应用

RUR620 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备的电源管理模块、电池充电和放电控制电路、DC-DC 升压或降压转换器、负载开关控制、电机驱动电路以及各类低电压高效率的开关电源系统。此外，由于其紧凑的封装形式和良好的热性能，RUR620 也广泛用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制电路。