类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大正向电流：30A
　　最大反向电压：1200V
　　正向电压（典型值）：1.5V @ 30A, 25°C
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-247
　　反向漏电流（典型值）：100μA @ 1200V, 25°C

RUR30120 在结构和性能上具有多项显著优势。首先，作为碳化硅材料的肖特基二极管，它在导通压降方面优于传统的硅基快恢复二极管（FRD），通常导通压降仅在1.5V左右，从而显著降低导通损耗。其次，该器件没有反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中，可以极大减少开关损耗，提升整体系统的能效。
　　此外，RUR30120 的工作温度范围较宽，从-55°C到175°C，具备良好的热稳定性，适用于严苛的工作环境。其封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，便于在高功率密度的电源系统中使用。在实际应用中，该器件能够在高温、高压和高频条件下稳定工作，有助于减少散热器尺寸，提升系统整体可靠性。
　　与传统的硅基二极管相比，RUR30120 的反向漏电流较小，并且随温度变化的稳定性更好，这使得在高温工作条件下器件的性能依然可靠。该器件在电磁干扰（EMI）方面的表现也更为优异，有助于减少外围电路的滤波需求，降低整体系统设计的复杂度。

RUR30120 主要应用于高效率的电力电子变换器中，如工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电器、UPS不间断电源、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及电机驱动系统等。由于其优异的高频特性和低开关损耗，特别适合用于需要高频工作的电源系统，有助于实现更高的功率密度和更高的系统效率。

SiC30ED120HD1, IDW30E120D2, C4D30120D