CM04RC08T 时间：2025/12/27 9:43:59 阅读：22

CM04RC08T是一款由Central Semiconductor Corp.生产的表面贴装硅PIN二极管，专为高频和射频应用设计。该器件采用SOD-323小型封装，具有低电容、快速开关速度和高可靠性等特点，广泛应用于通信系统、射频开关、衰减器、保护电路以及信号路由等场合。其结构中的本征层（I层）在P型和N型区域之间提供了宽耗尽区，有助于降低结电容并提高反向击穿电压，同时保持较低的正向压降。CM04RC08T能够在较小的封装内提供出色的射频性能，适合对空间敏感的高密度PCB布局。该二极管符合RoHS环保标准，并具备良好的温度稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持一致的电气特性。由于其优化的高频响应能力，CM04RC08T常用于无线基础设施、便携式通信设备、物联网模块及消费类射频产品中。

参数

型号：CM04RC08T
　　类型：PIN二极管
　　封装形式：SOD-323
　　极性：单路
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大正向电流（IF）：100mA
　　峰值重复反向电压（VRRM）：75V
　　最大反向电压（VR）：75V
　　最大正向电压（VF）：1.2V @ 10mA
　　结电容（CT）：0.8pF @ 1MHz, 4V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　热阻（RθJA）：350°C/W
　　功率耗散（PD）：200mW

特性

CM04RC08T的核心特性在于其优异的高频性能与紧凑封装的结合，使其成为现代射频设计中的关键元件之一。该PIN二极管在1MHz、4V偏置条件下测得的典型结电容仅为0.8pF，这一低电容值显著减少了信号路径中的寄生效应，提升了高频信号传输的完整性，特别适用于GHz频段下的射频开关和调谐电路。此外，其快速的反向恢复时间（trr = 4ns）确保了在高速切换应用中能够迅速从导通状态转换至截止状态，从而减少开关过程中的瞬态损耗和信号失真。
　　该器件的最大反向电压为75V，在常规射频电源条件下具备足够的安全裕度，同时最大正向电流可达100mA，足以支持多数低功率射频系统的驱动需求。其正向压降在10mA时典型值为1.2V，虽略高于普通整流二极管，但在PIN二极管中属于合理范围，兼顾了载流子注入效率与功耗控制。由于采用了先进的硅外延工艺，CM04RC08T在不同温度和频率条件下表现出稳定的电气参数，增强了系统长期运行的可靠性。
　　SOD-323封装不仅体积小巧（约2.6mm x 1.6mm），还具备良好的散热性能和机械强度，适用于自动化贴片生产线，提升了制造效率。该封装也降低了引线电感，进一步优化了高频响应。CM04RC08T符合无铅和RoHS指令要求，适应全球环保法规趋势，适合用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信模块等多种领域。其宽达-55°C至+150°C的工作温度范围，使器件可在极端环境条件下稳定运行，满足严苛应用场景的需求。

应用

CM04RC08T广泛应用于各类高频和射频电子系统中，尤其适合作为射频开关中的控制元件，用于在不同天线或信号路径之间进行切换。在无线通信设备如手机、Wi-Fi模块、蓝牙收发器和物联网节点中，该二极管可用于构建可变衰减器或增益控制电路，通过调节偏置电流来改变射频信号的传输损耗。此外，它还可作为保护元件接入敏感的射频前端电路，防止因静电放电（ESD）或意外高功率信号输入而造成损坏。
　　在测试测量仪器和射频自动测试设备（ATE）中，CM04RC08T用于实现信号路由选择和通道隔离，利用其低电容和快速响应特性保证测试精度和响应速度。在雷达系统和卫星通信终端中，该器件参与构建相控阵天线的移相器网络，协助实现波束成形功能。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，也可用于车载通信系统和工业无线传感器网络等对耐久性要求较高的场景。总之，凡涉及低功率射频信号控制、切换或保护的应用，CM04RC08T均是一个高性能且经济实用的选择。