型号：RUQ050N02TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/包：PowerSS
　　工作温度：-55℃ ~ 150℃（TJ）
　　漏源电压(Vdss)：20V
　　连续漏极电流(Id)：6.7A
　　脉冲漏极电流(Id)：24A
　　功耗(Pd)：1W
　　导通电阻(Rds(on))：5mΩ @ Vgs=10V, Id=3.4A
　　导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=3.4A
　　阈值电压(Vgs(th))：0.6V ~ 1.2V @ Id=250μA
　　栅极电荷(Qg)：4.8nC @ Vgs=10V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间(trr)：7ns

RUQ050N02TR采用罗姆专有的沟槽结构技术，实现了极低的导通电阻RDS(ON)，在VGS = 10V时典型值仅为5mΩ，在VGS = 4.5V时为6.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效。这种低RDS(ON)特性对于大电流开关应用尤其重要，例如同步整流、电池管理系统和便携式设备中的电源路径管理。由于导通损耗与RDS(ON)成正比，因此即使微小的电阻降低也能带来明显的温升改善和效率提升。此外，该器件在低栅极电压下仍能保持较低的导通电阻，增强了其在3.3V或5V逻辑电平驱动电路中的适用性。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与散热能力，得益于其PowerSS封装设计。该封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还通过优化的内部引线和散热路径有效传导热量，从而支持高达1W的最大功耗和6.7A的连续漏极电流。同时，器件的工作结温范围达到-55℃至+150℃，展现出优异的环境适应性和长期运行可靠性，适用于严苛的工业和汽车级应用场景。
　　RUQ050N02TR具有较低的栅极电荷（Qg = 4.8nC）和输入电容（Ciss = 330pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于减少开关损耗并提高电源转换效率。这对于DC-DC变换器、负载开关和电机控制等需要快速开关响应的应用至关重要。此外，其较短的反向恢复时间（trr = 7ns）也降低了体二极管在换流过程中的能量损耗，进一步提升了系统效率。综合这些电气特性，RUQ050N02TR能够在高频、高效率电源系统中发挥关键作用。

RUQ050N02TR广泛应用于多种需要高效开关和低导通损耗的电子系统中。常见用途包括便携式电池供电设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于实现电池充放电控制、电源路径切换和负载开关功能。其低RDS(ON)和小型封装特别适合这些对空间和能效要求严格的场合。此外，该器件也常用于同步整流型DC-DC降压或升压转换器中，作为主开关或续流开关，以提高转换效率并减少发热。
　　在工业控制领域，RUQ050N02TR可用于驱动小型直流电机、继电器和LED照明系统，提供可靠的开关控制能力。其稳定的阈值电压范围（0.6V~1.2V）确保了在不同驱动条件下的一致性表现。同时，该MOSFET也可作为热插拔电路或过流保护电路中的电子保险丝使用，配合控制器实现快速响应和断开保护。
　　由于其符合RoHS标准且具备高可靠性，RUQ050N02TR还适用于消费类电子产品中的各类电源开关应用，如USB电源开关、主板上的局部电源控制、传感器供电管理等。其表面贴装封装形式支持自动化贴片生产，有利于大规模制造和成本控制。总之，这款MOSFET凭借其高性能、小尺寸和高效率，成为现代低电压、中电流开关应用的理想选择之一。

DMG2305UX
　　FDC6323L
　　SI2305DS