时间：2025/12/25 10:38:36
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RUM001L02是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道MOSFET晶体管，采用小型表面贴装封装（如SC-75或SOT-723），专为高密度、低功耗应用设计。该器件以其极低的导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和紧凑的封装尺寸著称，适用于便携式电子设备中的电源管理与信号切换功能。RUM001L02在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提高了系统效率。其主要面向消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电的小型物联网终端。由于采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，该芯片能够在低电压控制条件下实现高效的电流导通能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外，RUM001L02符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适合自动化贴片生产流程。
型号：RUM001L02
极性：N沟道
漏源电压（VDS）：20V
连续漏极电流（ID）：100mA @ 85°C
脉冲漏极电流（IDM）：400mA
栅源电压（VGS）：±8V
导通电阻 RDS(on) max：200mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻 RDS(on) max：250mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
输入电容（Ciss）：13pF @ VDS=10V
开启延迟时间（td(on)）：3ns
关断延迟时间（td(off)）：5ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SC-75（SOT-457）
RUM001L02具备出色的低电压驱动能力和优异的导通性能，尤其在VGS=2.5V至4.5V的工作范围内表现稳定，能够满足现代低压数字逻辑电路的直接驱动需求。其超低的RDS(on)值显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，这对于依赖电池供电且对热管理要求严格的便携设备至关重要。器件的输入电容非常小，仅为13pF左右，这使得它在高频开关应用中具有更低的驱动功耗和更快的响应速度，适用于负载开关、LED背光控制、电源多路复用等需要快速启停的场景。
该MOSFET采用瑞萨成熟的沟槽结构技术，在保证高性能的同时实现了微型化封装，SC-75封装仅有约2mm×1.25mm的占位面积，极大节省了PCB空间，非常适合高集成度的移动终端产品。其热阻特性良好，JA约为450°C/W，配合合理的布局仍可在有限散热条件下安全运行。此外，RUM001L02具有较强的抗静电能力（HBM ESD rating typically >2kV），增强了在装配和使用过程中的可靠性。整个器件在生产过程中经过严格筛选和测试，确保批次一致性与长期稳定性，支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，适用于大规模自动化生产环境。
RUM001L02广泛应用于各种小型化、低功耗的电子系统中，典型用途包括便携式设备中的电源开关控制，如智能手机和平板电脑中的子系统上电时序管理；也可用于电池供电设备中的负载开关，以切断不工作模块的供电路径，降低待机功耗。此外，该器件常被用于LED指示灯或背光驱动电路中作为恒流源的通断控制元件，利用其快速开关特性实现精确调光功能。在信号路由或多路选择电路中，RUM001L02可充当模拟开关使用，传输低电平信号而引入的压降极小。其他应用场景还包括传感器模块的电源管理、无线耳机充电仓的充放电控制、TWS耳机内部电源切换以及各类IoT节点设备中的节能开关电路。
RN2001K
