时间：2025/11/8 8:28:15
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RUL035N02是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的N沟道MOSFET功率晶体管，专为高性能电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽式场截止（Trench Field-Stop）工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，能够在高频率下实现高效的能量转换。RUL035N02广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池管理系统以及各类便携式电子设备的电源模块中。其紧凑的封装形式不仅节省了PCB空间，还通过优化热设计提升了散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力和抗瞬态电压冲击能力，增强了系统在恶劣工作环境下的可靠性。RUL035N02符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
型号：RUL035N02
类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：20V
栅源电压VGS：±12V
连续漏极电流ID：18A
脉冲漏极电流IDM：72A
导通电阻RDS(on) max @ VGS=4.5V：5.3mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS=2.5V：6.8mΩ
栅极电荷Qg typ：8.5nC
输入电容Ciss typ：500pF
输出电容Coss typ：140pF
反向恢复时间trr typ：9ns
工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
封装形式：PowerPAK SO-8L
RUL035N02的核心优势在于其超低的导通电阻与优异的动态性能相结合，使其成为高效电源转换系统的理想选择。该器件在VGS=4.5V时，最大RDS(on)仅为5.3mΩ，显著降低了导通损耗，尤其适用于大电流应用场景，如笔记本电脑主板上的多相降压变换器或移动电源中的同步整流电路。更低的RDS(on)意味着更小的功耗和发热，从而提高整体系统效率并减少散热设计负担。同时，该MOSFET在VGS=2.5V下仍能保持较低的导通电阻（6.8mΩ），支持低压逻辑驱动，兼容3.3V甚至更低电压的控制信号，适合用于由微控制器直接驱动的应用场合。
除了静态参数外，RUL035N02在动态特性方面同样表现出色。其典型的栅极电荷Qg仅为8.5nC，输入电容Ciss为500pF，这使得器件能够快速开启和关断，降低开关损耗，提升高频工作的效率。这对于工作频率高达数百kHz乃至MHz级别的开关电源尤为重要。此外，较短的反向恢复时间（trr typ 9ns）有效减少了体二极管在换流过程中的反向恢复电荷，抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的电磁兼容性。这些特性共同作用，使RUL035N02在轻载和重载条件下均能维持高能效。
在可靠性方面，RUL035N02具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用需求。器件内部结构经过优化，具备较强的雪崩能量承受能力，能够在电源突发短路或负载突变时提供一定的自我保护能力。同时，其采用的PowerPAK SO-8L封装具有优良的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的大面积铜箔进行高效散热，进一步提升功率处理能力。该封装还具备较小的寄生电感，有助于减缓电压振荡，提升开关稳定性。
RUL035N02主要应用于需要高效率、大电流和小型化设计的电源系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在服务器、通信设备和高端消费类电子产品中用于核心电压调节。它也常用于电池供电设备中的电源管理单元，例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，作为主开关或背靠背配置中的充放电控制开关。此外，在电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，凭借其低导通电阻和快速响应能力，实现精确的速度和扭矩控制。在LED驱动、热插拔控制器以及负载开关等场景中，RUL035N02也能发挥出色的性能。由于其良好的高温稳定性和可靠性，还可用于部分车载电子系统，如车身控制模块、车载充电器辅助电源等非主驱领域。
RUL030N02
SiR356DP
IRLML6344
AO4403
FDMC86128
