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2N5686 发布时间 时间:2025/12/24 17:33:45 查看 阅读:25

2N5686 是一款广泛应用于电子电路中的N沟道功率MOSFET晶体管。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而闻名,适用于各种开关电源、电机驱动、逆变器和放大器电路。2N5686 采用TO-220封装,便于安装和散热。其设计使其能够在高电压和高电流条件下可靠运行,因此在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中均有广泛应用。

参数

类型:N沟道功率MOSFET
  漏源电压(Vds):50V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):14A
  功耗(Pd):50W
  导通电阻(Rds(on)):0.045Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

2N5686 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流工作条件下,功率损耗显著降低,提高了整体效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力,能够支持高达14A的连续漏极电流,适用于高功率应用。
  另一个显著特性是其良好的热稳定性。采用TO-220封装,能够有效散热,避免因过热导致的性能下降或损坏。这使得2N5686 在高负载和高温环境下依然能够稳定运行。
  2N5686 还具有较高的栅极电压容忍度,允许±20V的栅源电压(Vgs),从而提高了在不同控制电路中的兼容性。其快速开关特性也使其在高频开关应用中表现出色,例如在DC-DC转换器和逆变器中。
  该器件还具备较强的耐用性和可靠性,适合长期运行于工业环境,且具备良好的抗静电和抗瞬态电压能力,减少了因外部干扰而导致的故障率。

应用

2N5686 主要用于需要高电流和高效率的功率电子设备中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器以及各种放大器电路。
  在开关电源中,2N5686 作为主开关元件,能够高效地将输入电压转换为所需的输出电压,减少能量损耗并提高电源效率。在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性使得转换效率显著提升。
  在电机驱动应用中,2N5686 可以承受较大的电流波动,适用于直流电机的H桥驱动电路,实现电机的正反转和速度控制。此外,在电池管理系统中,它可用于充放电控制电路,确保电池的安全和高效运行。
  由于其良好的热性能和高可靠性,2N5686 也常用于汽车电子系统,如车载逆变器、电动助力转向系统和车载充电器等。

替代型号

IRF540, FDPF5N50, 2N6764

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2N5686参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流50 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min15
  • 配置Single
  • 最大工作频率2 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-204-2 (TO-3)
  • 封装Tray
  • 集电极连续电流50 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散300 W
  • 工厂包装数量100