RUH4080是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
RUH4080属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式通常为TO-220或TO-252,具体以厂商规格为准。它广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:16nC
开关时间:开启时间 17ns,关断时间 26ns
功耗:240W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
RUH4080具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
3. 高雪崩耐量能力,增强了在异常条件下的可靠性。
4. 小尺寸封装选项,便于在空间受限的设计中使用。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
6. 支持大电流输出,确保稳定运行。
7. 广泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境。
RUH4080的主要应用场景包括:
1. 开关电源中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的电源管理单元。
7. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、显示器等中的功率转换组件。
RUH4060
RFP70N06
IRFZ44N
FDP5800