型号：RUF025N02
　　制造商：TCL
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS=4.5V：25mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS=10V：20mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.3V，范围1.0~2.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值500pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：典型值380pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

RUF025N02采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而显著提升器件的整体效率。其关键特性之一是极低的RDS(on)，在VGS=4.5V时最大仅为25mΩ，在更高驱动电压下可进一步降至20mΩ，这使得它在大电流开关应用中功耗更低，发热更小，有助于提高系统的能源利用率。此外，该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使其非常适合用于高频PWM控制场合，例如同步整流DC-DC变换器或电池供电设备中的电源管理模块。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性和过载承受能力。RUF025N02的最大连续漏极电流可达9A，并支持高达36A的脉冲电流，适合短时高峰值负载的应用场景。同时，器件内部采用了优化的芯片布局和封装散热设计，确保在高功率运行状态下仍能保持可靠的工作温度。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也增强了环境适应性，可在恶劣条件下稳定工作。
　　该器件还具备较强的抗静电能力（ESD Protection）和栅极保护机制，防止因操作不当或瞬态电压冲击导致损坏。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰风险。综合来看，RUF025N02在小型化、高效化和高可靠性方面表现突出，是一款适用于现代电子系统中对空间和能效要求较高的理想功率开关元件。

RUF025N02被广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和移动电源，它常用于电池充放电管理电路中的负载开关或背靠背配置下的防反接保护，利用其低导通电阻减少能量损耗并延长续航时间。在直流电源转换系统中，尤其是同步降压型DC-DC转换器中，RUF025N02可作为下管（Low-side MOSFET）使用，配合控制器实现高效的电压调节，适用于主板供电、CPU核心电源等对效率要求较高的场景。
　　在工业控制领域，该器件可用于电机驱动电路中的H桥拓扑结构，驱动小型直流电机或步进电机，因其快速开关特性和高电流承载能力，能够实现精确的速度和方向控制。此外，在LED照明驱动电源中，RUF025N02也可作为主开关管参与恒流控制回路，提供稳定的输出电流。
　　其他典型应用还包括热插拔电源模块、USB PD电源路径管理、无线充电发射端控制电路以及各类开关电源中的次级侧整流替代方案。由于其采用TO-252表面贴装封装，不仅节省空间，还便于自动化生产组装，因此特别适合高密度PCB设计。总体而言，RUF025N02凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，已成为众多中低电压、中等功率开关应用中的主流选择之一。

SI2302, AON6260, FDS6680A