时间：2025/12/25 13:24:41
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RUE002N02 TL是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-723或类似小型化封装），具有低导通电阻和快速开关特性，适合对空间和效率要求较高的便携式电子设备。RUE002N02 TL的命名中，“RUE”代表瑞萨的小信号MOSFET系列，“002N02”表示其电压和电流等级，而“TL”通常指编带包装形式，适用于自动化贴片生产。该MOSFET在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提高了系统整体能效。此外，它具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于消费类电子产品、工业控制、通信模块及电池供电设备中的电源开关与信号切换功能。
型号：RUE002N02 TL
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-723
连续漏极电流（Id）：2A
漏源击穿电压（Vds）：20V
栅源阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.0V
导通电阻（Rds(on)）：最大22mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷（Qg）：典型值约1.8nC
输入电容（Ciss）：典型值约230pF
功率耗散（Pd）：500mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
极性：单N沟道
通道数：1
RUE002N02 TL采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=4.5V条件下，最大仅为22mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的转换效率。该特性使其非常适合用于低电压、高效率的同步整流电路和负载开关应用。其低阈值电压（Vgs(th)）典型值约为0.8V，意味着即使在较低的栅极驱动电压下也能实现充分导通，因此兼容3.3V甚至1.8V逻辑电平控制，适用于现代低功耗微控制器直接驱动的应用场景。
该器件具有极小的封装尺寸（SOT-723），典型尺寸约为2mm x 1.2mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等高度集成的便携式电子产品。尽管体积小巧，但其热性能经过优化设计，能够在有限的散热条件下可靠运行。同时，低输入电容（Ciss ≈ 230pF）和极低的栅极电荷（Qg ≈ 1.8nC）使得开关速度极快，开关损耗极小，进一步增强了高频工作的适用性，支持数百kHz至MHz级别的开关频率操作。
RUE002N02 TL还具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护特性，提高了器件在实际应用中的鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至+150°C，确保在严苛环境条件下仍能保持稳定性能。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分验证，部分应用场景可延伸至汽车电子领域，如车载传感器模块或车身控制单元中的小功率开关。总体而言，RUE002N02 TL是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的先进N沟道MOSFET，是现代电子系统中理想的小功率开关元件选择。
广泛应用于移动设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑内的LCD背光驱动、摄像头电源开关；用于各类DC-DC降压或升压转换器中的同步整流器，提升转换效率；作为负载开关控制外设电源的通断，实现节能待机模式；应用于电池供电的物联网节点、无线传感器网络中的电源路径管理；也可用于工业控制板上的信号切换、继电器替代方案以及便携式医疗设备中的低功耗电源控制电路。
RN2002N02K
