RU30P5H 时间：2025/12/29 14:18:41 阅读：9

RU30P5H是一款由ROHM（罗姆）公司生产的P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于各种开关电源、DC-DC转换器和负载开关电路。

参数

类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大漏极电流（ID）：-100A
　　导通电阻（RDS(ON)）：5.0mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-2.0V至-4.0V
　　最大功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：H8

特性

RU30P5H具备多项优异的电气和机械特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（RDS(ON)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件的高电流承载能力（最大漏极电流为-100A）使其适用于高功率密度的设计。此外，RU30P5H具有高耐压能力（最大漏源电压为-30V），能够在高压环境下稳定工作，增强了电路的可靠性。
　　该MOSFET采用了先进的封装技术（H8封装），提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度。同时，其栅极阈值电压范围（-2.0V至-4.0V）确保了与标准逻辑电平的兼容性，方便与控制器或驱动电路配合使用。最后，RU30P5H的高功率耗散能力（160W）允许其在高负载条件下长时间运行而不会发生热失效，适用于苛刻的工业和汽车电子环境。

应用

RU30P5H主要应用于需要高效功率管理的领域。常见的应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。由于其高可靠性和优异的热性能，它也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器。此外，在工业自动化设备中，RU30P5H可用于高效率的电源模块和负载开关控制电路，确保设备在高负载条件下的稳定运行。