时间：2025/6/16 22:14:00
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RU30D8HCGTR是由Rohm公司生产的一款MOSFET功率晶体管，采用TO-252封装形式。该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等领域。RU30D8HCGTR以其低导通电阻、高开关速度和出色的热性能著称，适合需要高效能和小型化的应用场合。
RU30D8HCGTR的设计使其在高频开关条件下表现优异，同时能够承受较高的瞬态电压，确保了其在严苛环境下的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
RU30D8HCGTR具有非常低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提升了系统的整体效率。
该器件具备快速开关特性，可以减少开关损耗并提高开关频率，从而缩小无源元件的体积。
由于采用了先进的制造工艺，RU30D8HCGTR具有良好的散热性能和高温适应能力，适用于各种工业和汽车环境。
此外，其内置ESD保护电路进一步增强了产品的可靠性。
RU30D8HCGTR主要应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
具体包括但不限于：笔记本电脑适配器、LED驱动器、智能家电中的电源管理模块、电动工具以及机器人控制系统等场景。
在汽车电子方面，它可以用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和引擎控制单元（ECU）。
RU30D8HC3TR, IRF3710, FDP5500
