时间：2025/6/21 10:56:44
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RU20P4C是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：RU20P4C
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：125W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
RU20P4C采用了先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻，从而减少了传导损耗。
该器件具备快速开关能力，能够实现高频操作，适合现代高效能电源应用。
其内置的ESD保护功能增强了芯片在严苛环境下的可靠性。
同时，RU20P4C拥有良好的热性能，通过优化的散热设计可确保长时间稳定运行。
此外，该芯片符合RoHS标准，环保且易于焊接与组装。
RU20P4C广泛适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 负载切换和保护电路。
5. 各类工业控制设备中的功率调节模块。
RU20P4B, IRFZ44N, FDP5580
