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RU1C001ZPTL 发布时间 时间:2025/12/25 10:53:55 查看 阅读:26

RU1C001ZPTL是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的实时时钟(RTC)模块。该器件集成了高精度的温度补偿晶体振荡器(TCXO)、32.768kHz晶体单元和RTC电路,采用紧凑型表面贴装封装,专为需要精确时间保持和低功耗运行的应用而设计。该模块在出厂时已经过校准,能够在宽温度范围内提供极高的时间精度,适用于对时间同步要求严格的工业、通信和消费类电子产品。由于其高度集成的设计,RU1C001ZPTL无需外部晶体或复杂的补偿电路即可实现稳定的时间计时功能,大大简化了系统设计并节省了PCB空间。此外,该模块支持I2C通信接口,便于与主控MCU进行数据交互,读取当前时间与日期信息,并可配置多种时间报警和中断输出功能。

参数

型号:RU1C001ZPTL
  制造商:Renesas Electronics
  产品类别:实时时钟模块
  封装类型:TFLGA
  电源电压范围:1.7V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  接口类型:I2C
  时钟频率:32.768kHz
  计时精度(典型值):±0.5ppm (-10°C ~ +60°C, VDD = 3.0V)
  年误差(典型值):< ±2秒/年
  电流消耗(休眠模式):典型值0.6μA
  启动时间:小于1秒
  内置晶体:是
  补偿方式:数字温度补偿
  时间格式:BCD码表示(秒、分、小时、日、月、年等)
  报警功能:支持定时报警中断输出
  寄存器备份功能:支持

特性

RU1C001ZPTL的核心优势在于其内置的高精度温度补偿技术,使其在不同环境温度下仍能维持极低的频率偏差。传统的RTC依赖外部32.768kHz晶体,受温度漂移影响较大,导致长期运行中产生明显的时间误差。而RU1C001ZPTL通过集成数字温度传感器和动态补偿算法,实时调整振荡频率,确保在整个工作温度范围内保持±0.5ppm的超高精度。这意味着即使在极端环境下,每年的时间误差也控制在2秒以内,远优于普通RTC模块的±5ppm至±20ppm水平。
  该器件采用先进的低功耗CMOS工艺制造,在保持高精度的同时实现了超低静态电流消耗。在待机或电池供电模式下,其典型电流仅为0.6μA,非常适合使用纽扣电池长期供电的应用场景,如智能电表、医疗设备和便携式仪器。同时,其宽电压输入范围(1.7V~5.5V)增强了系统的兼容性,可在3.3V或5V逻辑系统中直接使用,无需额外的电平转换电路。
  RU1C001ZPTL还具备良好的电磁兼容性和抗干扰能力,内部结构经过优化以减少噪声对时钟信号的影响。其TFLGA封装不仅体积小巧(约3.2mm×1.5mm×0.85mm),而且具有优异的机械稳定性,适合自动化贴片生产。器件支持标准I2C总线协议,地址固定或可配置,方便多设备共用总线。此外,它提供时间报警功能,可用于唤醒休眠中的主控芯片,从而实现节能调度。整体而言,RU1C001ZPTL是一款面向高端应用的高可靠性、高精度、低功耗RTC解决方案。

应用

RU1C001ZPTL广泛应用于对时间精度要求严苛的领域。在工业控制系统中,常用于PLC、数据采集终端和远程监控设备,作为系统时间基准以确保事件记录的准确性。在智能电网相关设备如智能电表、水表和燃气表中,该模块提供可靠的长时间计时能力,支持峰谷电价结算和远程抄表功能。通信基础设施设备,如基站、路由器和交换机,也采用此类高精度RTC来维持网络时间同步,尤其是在GPS信号不可用的情况下作为备用时钟源。
  在医疗电子领域,RU1C001ZPTL被用于病人监护仪、输液泵和便携式诊断设备,确保治疗和检测过程中的时间戳精确无误,满足医疗法规要求。消费类电子产品中,高端智能家居中枢、安防摄像头和数字录像机利用其低功耗和高精度特性,实现断电后长时间守时和自动唤醒功能。此外,汽车电子中的车载信息娱乐系统、行车记录仪和远程信息处理单元(Telematics)也会采用此类模块,提升用户体验和系统可靠性。由于其出色的温度稳定性和长期稳定性,RU1C001ZPTL特别适用于部署在户外或温差较大的环境中使用的电子设备。

替代型号

RV3129-C3S
  DS3231
  PCF2131

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RU1C001ZPTL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥2.31000剪切带(CT)3,000 : ¥0.40317卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装UMT3F
  • 封装/外壳SC-85