类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　漏源击穿电压（Vds）：100V
　　栅源击穿电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大10mΩ（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装（5x6mm）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　输入电容（Ciss）：约2000pF
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V

RTS010N2PHEC03具有多项优异的电气和热性能，适用于高要求的功率应用。
　　首先，该器件的最大漏极电流为100A，漏源耐压达到100V，能够承受较高的工作电压和负载电流，适用于多种中高功率场景。其导通电阻仅为10mΩ（典型值），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，RTS010N2PHEC03采用了先进的PowerPAK SO-8双封装技术，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度并提升器件的可靠性。该封装形式也支持表面贴装工艺，适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。
　　此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有利于实现快速开关操作，减少开关损耗，提高电源转换效率。其输入电容（Ciss）约为2000pF，适合高频应用场合。
　　在可靠性方面，RTS010N2PHEC03的工作温度范围为-55°C至+175°C，具备良好的温度适应性和稳定性，能够在恶劣环境下稳定运行。该器件还内置了防静电保护结构，提高了使用过程中的安全性。
　　总体来看，RTS010N2PHEC03是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用，具有优异的导通性能和热管理能力。

RTS010N2PHEC03广泛应用于需要高效功率转换和管理的电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源适配器、服务器电源、工业自动化设备、电动工具以及汽车电子系统等。
　　在DC-DC转换器中，RTS010N2PHEC03可作为主开关器件，实现高效的能量转换，同时其低导通电阻和快速开关特性有助于提升系统效率和稳定性。
　　在电机驱动和负载开关应用中，该MOSFET能够承受较高的电流和电压应力，确保驱动系统的可靠运行。
　　此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统中，RTS010N2PHEC03的高可靠性和宽温度适应性使其成为理想选择。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装形式，RTS010N2PHEC03也适用于高密度、小型化电源模块的设计，满足现代电子产品对空间和效率的高要求。

SiSS100N10NM5T1GE、FDMS86180、NTMFS1C410NT1G、IPB010N10NM5ATMA1