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PMPB14XPX 发布时间 时间:2025/9/14 5:59:12 查看 阅读:35

PMPB14XPX是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的双极型晶体管(BJT),属于射频(RF)晶体管类别,适用于高频功率放大应用。这款晶体管采用先进的制造工艺,具备良好的高频性能和热稳定性,广泛用于通信设备、射频模块和工业控制系统中。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic):150mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):200mW
  过渡频率(fT):100MHz
  封装类型:SOT23
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

PMPB14XPX晶体管具备优异的射频性能,适用于高频信号放大和低噪声应用。其SOT23封装设计不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,还具备良好的散热性能,确保在高温环境下稳定运行。晶体管的fT频率达到100MHz,能够在射频范围内提供高效能表现,适用于各种射频前端模块和无线通信系统。
  该晶体管具有低噪声系数和高增益特性,适合用作低噪声放大器(LNA)和射频功率放大器。其Vce和Vcb电压额定值均为30V,提供了较高的电压容忍能力,适用于多种电源电压配置。此外,PMPB14XPX的工作温度范围宽泛,从-55°C到+150°C,适用于严苛的工业和汽车应用环境。
  该晶体管的设计优化了高频响应和低失真特性,能够有效减少信号失真,提高系统性能。其低功耗特性也有助于降低整体能耗,适用于电池供电设备和节能型电子系统。

应用

PMPB14XPX晶体管广泛应用于射频通信模块、无线传感器网络、工业自动化设备和汽车电子系统。具体应用包括低噪声放大器、射频功率放大器、混频器、振荡器以及各种射频前端电路。由于其优异的高频性能和小型化设计,该晶体管也适用于便携式电子设备和物联网(IoT)设备中的射频信号处理。

替代型号

BFQ19S, BCW66H, BFR181W

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PMPB14XPX参数

  • 现有数量14,836现货
  • 价格1 : ¥4.21000剪切带(CT)3,000 : ¥1.19413卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)19 毫欧 @ 8.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2303 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.9W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘