时间：2025/6/19 13:10:49
阅读：2
RTR025N05是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等功率电子领域。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称，能够显著降低功耗并提高效率。它采用TO-252封装形式，适合表面贴装技术（SMT）工艺。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：2.5A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷：13nC
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃至+150℃
RTR025N05具有低导通电阻，从而减少导通损耗，提升整体系统效率。
其快速开关性能使其非常适合高频应用环境。
内置的ESD保护功能提高了器件在实际应用中的可靠性。
小型化的TO-252封装节省了电路板空间，同时具备良好的散热性能。
符合RoHS标准，环保且适用于现代电子制造需求。
RTR025N05主要应用于消费类电子产品中的功率管理场景，例如笔记本电脑适配器、手机充电器等。
此外，它也适用于工业控制设备中的开关调节器、LED照明驱动以及小型电机驱动等场合。
由于其高效的开关特性和低损耗设计，还被广泛用于电池管理系统（BMS）和分布式电源架构中。
RFP50N06, IRF540N, FDP067N06L
