时间：2025/5/26 12:18:24
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STGB6NC60HDT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 MOSFET，采用 N 沟道技术。该器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中。
这款 MOSFET 采用了 MDAP8 封装形式，能够承受较高的漏源电压，并且具备快速开关能力，使其在高效能功率转换应用中表现优异。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6.2A
栅极电荷：17nC
导通电阻（典型值）：0.8Ω
最大功耗：143W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：MDAP8
STGB6NC60HDT4 具有以下关键特性：
1. 高击穿电压：高达 650V 的漏源电压使其适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻：，在高频开关条件下可降低功耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输出电荷使其能够实现快速开关，从而提高系统效率。
4. 强大的热性能：支持高至 +175℃ 的工作结温范围，确保其在恶劣环境下依然稳定运行。
5. 小型化设计：MDAP8 封装有助于节省电路板空间，同时提供良好的散热性能。
STGB6NC60HDT4 广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和适配器。
2. 电机驱动和控制。
3. DC-DC 转换器。
4. 太阳能逆变器。
5. 电动工具和其他便携式设备中的功率管理模块。
由于其高耐压和低损耗特性，该 MOSFET 是需要高效率和高可靠性的功率转换系统的理想选择。
STGB12NC60HDT4
STGB8NC60HD
IRF840
