时间：2025/12/24 0:58:03
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RTR025N03TL 是一款基于硅技术的 N 沘道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
该器件采用小型化封装设计，具备较低的导通电阻和快速的开关性能，非常适合对效率和空间有严格要求的应用环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：67nC
总电容：1900pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263 (DPAK)
RTR025N03TL 具备低导通电阻特性，有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
其快速开关速度可以减少开关损耗，从而支持高频应用。
此外，该器件还具有较高的雪崩耐量能力，可提升系统的可靠性和耐用性。
由于采用了 TO-263 封装，因此能够提供良好的散热性能，同时兼容多种 PCB 设计布局。
该 MOSFET 常用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高侧或低侧开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机控制电路中的功率级驱动元件。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
RFP30N06LE
IRFZ44N
FDP030N06L
