时间：2025/12/25 14:01:48
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RTQ035P02FRA是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能、高可靠性N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热稳定性，适用于多种现代电子设备中的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动及电池管理系统等场景。RTQ035P02FRA以其小型化封装和卓越的电气性能，在空间受限且对能效要求严苛的应用中表现出色。其额定电压为20V，最大连续漏极电流可达数安培级别，适合用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他需要高效低压功率管理的系统。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，提升了整体系统的安全性和可靠性。通过优化的封装设计，RTQ035P02FRA能够有效降低寄生电感与电阻，提高高频工作下的动态响应能力，并减少功率损耗，从而实现更高的系统效率。
型号：RTQ035P02FRA
制造商：Richtek Technology Corporation
器件类型：N-Channel MOSFET
漏源电压VDS：20V
栅源电压VGS：±12V
连续漏极电流ID（@25°C）：8A
脉冲漏极电流IDM：32A
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.5mΩ
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=2.5V）：9.5mΩ
阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.2V
栅极电荷Qg（typ）：8nC
输入电容Ciss（typ）：450pF
输出电容Coss（typ）：220pF
反向恢复时间trr（typ）：10ns
工作结温范围：-55°C to +150°C
封装形式：DFN2020-6L
RTQ035P02FRA采用了先进的沟槽型MOSFET结构，使其在低电压应用中实现了极低的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其典型RDS(on)值在VGS=4.5V时仅为6.5mΩ，即使在较低的驱动电压如2.5V下也能保持9.5mΩ的低阻特性，这使得它非常适合用于由电池供电的便携式设备，能够在有限的驱动条件下依然维持高效的能量传输。该器件的低栅极电荷（Qg typ 8nC）和低输入电容（Ciss 450pF）进一步优化了开关性能，减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作的可行性。
其DFN2020-6L封装具有极小的占板面积（2.0mm x 2.0mm），并采用底部散热焊盘设计，能够有效将热量传导至PCB，提升热稳定性与长期运行可靠性。这种封装还大幅降低了引线电感，有助于抑制开关瞬态过程中的电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）。
RTQ035P02FRA具备良好的热关断保护机制和过流耐受能力，能够在异常工况下防止器件损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业级和消费类应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色制造要求。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr typ 10ns），可在同步整流等应用中有效减少反向恢复损耗，避免电流回流带来的效率下降问题。
RTQ035P02FRA广泛应用于各类高效率、小体积的电源管理电路中，典型用途包括但不限于：同步降压（Buck）转换器中的主开关或整流开关，特别是在单相或多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电；便携式设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断以实现节能管理；电池供电系统的电源路径管理，例如在充电IC外围用于充放电通路控制；电机驱动电路中的低端开关，适用于微型直流电机或步进电机的驱动；LED背光驱动或恒流源中的开关元件；以及各类DC-DC模块、POL（Point-of-Load）转换器和电源分配网络中的功率开关角色。由于其优异的开关特性和热性能，也常被用于高密度电源设计、可穿戴设备、物联网终端及移动储能设备中。
RTQ0340P02FRA
