输入电压范围：4.5V ~ 23V
　　输出电压范围：0.8V ~ 5.5V
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：500kHz / 750kHz / 1MHz（可调）
　　效率：高达95%
　　工作温度范围：-40°C ~ 125°C
　　封装形式：WQFN-16 (3mm x 3mm)

RT919833GBG 采用先进的电流模式控制技术，具有快速的瞬态响应能力和良好的稳定性。其宽输入电压范围（4.5V 至 23V）使其适用于多种电源输入场景，包括适配器、电池供电系统等。
　　该芯片内置低导通电阻的上下桥 MOSFET，降低了导通损耗，提高了整体转换效率，最高可达 95%。此外，RT919833GBG 支持轻载高效工作模式（如 PFM 模式），可在低负载条件下显著降低静态电流，延长电池寿命。
　　保护功能方面，RT919833GBG 提供了全面的安全机制，包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP），确保在各种异常情况下芯片和系统的安全运行。
　　此外，该器件的开关频率可调（500kHz / 750kHz / 1MHz），用户可根据具体应用需求选择合适的频率，以优化外部元件尺寸和 EMI 性能。RT919833GBG 还支持软启动功能，可有效抑制启动时的浪涌电流，提升系统稳定性。

RT919833GBG 适用于多种中高功率密度的电源转换应用，如工业控制系统、便携式电子设备、网络通信设备、智能家电、LED 照明驱动、电池管理系统等。
　　由于其宽输入电压范围和高效率特性，该芯片特别适合用于以锂电池或多节电池供电的设备中，例如无人机、便携式医疗设备、工业传感器等。
　　在通信设备中，RT919833GBG 可用于为 DSP、FPGA、ASIC 等数字电路提供稳定的电源供应，同时其低噪声特性也有助于提高信号处理精度。
　　此外，该器件的小型封装和高集成度设计使其成为空间受限应用的理想选择，能够简化 PCB 布局并减少外部元件数量。

RT8205A、MP2315、LMR14030、TPS54331