输出电压：2.7V
　　输入电压范围：2.5V ~ 6V
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压：典型值 200mV（在 300mA 负载下）
　　静态电流：典型值 75μA
　　封装形式：SOT-23-5
　　工作温度范围：-40°C ~ 85°C

RT9063-27GVN 采用先进的 CMOS 工艺制造，具有出色的稳定性和瞬态响应。其低静态电流特性使其非常适合电池供电设备，以延长电池寿命。该 LDO 在无负载条件下仍能保持稳定运行，且不需要输出电容即可工作，从而简化了电路设计。此外，RT9063-27GVN 内建过热保护和电流限制功能，确保在异常工作条件下器件的安全运行。其 SOT-23-5 封装形式具有较小的占板面积，适合空间受限的应用场景。
　　该器件在设计上优化了 PSRR（电源抑制比），在 1kHz 下可达到 70dB 以上，有助于抑制输入电压中的噪声，为后级电路提供干净的电源。此外，RT9063-27GVN 具有快速启动功能，适用于对上电时间敏感的应用。其内部结构采用 NMOS 传输晶体管，避免了传统 PNP 型 LDO 中常见的基极电流泄漏问题，提升了整体效率和稳定性。

RT9063-27GVN 广泛应用于需要低功耗、小尺寸封装和稳定输出电压的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、无线模块（如 Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）、传感器模块、可穿戴设备以及各种便携式消费类电子产品。此外，它也可用于工业控制系统中的局部电源稳压，为微控制器、ADC/DAC、射频前端等敏感模拟或数字电路提供稳定电源。由于其良好的 PSRR 和低噪声特性，RT9063-27GVN 也适用于音频放大器、精密测量仪器等对电源质量要求较高的设备。

AMS1117-2.7、LD1117S27TR、MIC5232-2.7