LESD6V1MLT1G 时间：2025/6/13 14:24:07 阅读：7

LESD6V1MLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的瞬态电压抑制器（TVS）二极管。该器件主要用于保护敏感的电子电路免受因静电放电（ESD）、电感负载切换和其他瞬态电压事件引起的损害。LESD6V1MLT1G采用小尺寸SOD-323封装，适用于对空间要求严格的便携式和消费类电子产品。
　　这款二极管具有快速响应时间、低电容和低泄漏电流的特点，使其非常适合用于高速数据线、I/O端口以及射频电路的保护。其额定反向工作电压为6V，能够承受高达±20kV的接触放电和±30kV的空气放电（根据IEC 61000-4-2标准）。

参数

最大反向工作电压：6V
　　击穿电压：6.8V
　　最大峰值脉冲功率：600W
　　箝位电压：12.9V
　　结电容：15pF
　　反向漏电流：1μA
　　响应时间：1ps
　　封装类型：SOD-323
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

LESD6V1MLT1G具备高可靠性与出色的电气性能，具体特点如下：
　　1. 快速响应时间，能够在瞬态事件发生时迅速将电压限制在安全范围内。
　　2. 低电容设计减少了对信号完整性的干扰，适合高速应用。
　　3. 小型化封装节省了PCB空间，满足现代电子设备小型化趋势。
　　4. 高度兼容多种工业标准，包括IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）等。
　　5. 宽泛的工作温度范围确保其在极端环境下仍能稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅。

应用

该元器件广泛应用于各类需要过压保护的场景中，例如：
　　1. USB接口、口的ESD保护。
　　2. 手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的电路保护。
　　3. 工业自动化设备中的通信端口保护。
　　4. 汽车电子系统中的传感器输入保护。
　　5. 网络设备如路由器、交换机中的信号线防护。
　　6. 医疗设备中的关键信号链路保护。