RT3N11M-T111-1是一款由Richtek(立锜科技)推出的高性能同步整流DC-DC降压转换器芯片,广泛应用于需要高效、紧凑电源解决方案的电子设备中。该器件采用电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,提供精确的输出电压调节。RT3N11M-T111-1集成了高侧和低侧功率MOSFET,具备高达3A的持续输出电流能力,适用于多种便携式设备和工业控制系统。其封装形式为小型化的WDFN-10L(3mm x 3mm),有助于节省PCB空间,同时通过优化的引脚布局降低EMI干扰。该芯片支持可调输出电压模式,通过外部电阻分压网络设定目标电压值,典型应用中可实现从5V或12V输入降至1.2V至5.5V范围内的稳定输出。此外,RT3N11M-T111-1内置多种保护机制,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在异常条件下仍能安全运行。
型号:RT3N11M-T111-1
制造商:Richtek(立锜科技)
器件类型:同步整流降压DC-DC转换器
输入电压范围:4.5V ~ 18V
输出电压范围:1.2V ~ 5.5V(可调)
最大输出电流:3A
开关频率:500kHz(典型值)
工作效率:最高可达95%
控制模式:峰值电流模式控制
工作温度范围:-40°C ~ +125°C(结温)
封装形式:WDFN-10L (3mm x 3mm)
集成MOSFET:内置上管与下管
静态电流:约60μA(关断模式)
关断电流:<1μA
反馈参考电压:0.6V ±1%
保护功能:OCP, OTP, OVP, UVP
RT3N11M-T111-1采用先进的BCD工艺制造,具备优异的热性能和电气稳定性,适合在高温环境下长期可靠运行。其内部集成的高压侧和低压侧MOSFET经过优化设计,显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提升了整体转换效率,尤其是在轻载和中等负载条件下表现突出。该芯片支持强制PWM模式或自动PFM/PWM模式切换,用户可根据应用需求选择不同的工作模式以平衡效率与纹波噪声。在轻载时进入省电模式(PFM),有效延长电池供电设备的续航时间;而在重载时自动切换至PWM模式,确保良好的动态响应和电压稳定性。
该器件具备快速瞬态响应能力,得益于其峰值电流模式控制架构,能够实时监测电感电流并迅速调整占空比,应对负载突变带来的电压波动。此外,RT3N11M-T111-1集成了软启动功能,通过内部定时电路控制启动过程中的输出电压上升斜率,避免了启动时的浪涌电流对输入电源造成冲击。其反馈环路具有高精度基准电压源(0.6V ±1%),结合外部精密电阻分压器,可实现±2%以内的输出电压精度。
为了提升系统可靠性,芯片内置多重保护机制。当输出发生短路或过流故障时,过流保护(OCP)会立即限制电流或关闭输出,防止损坏外围元件。过温保护(OTP)会在结温超过安全阈值(通常为150°C)时自动切断输出,并在温度下降后恢复工作。欠压锁定(UVLO)功能确保只有在输入电压达到正常工作范围后才启动芯片,避免因电源不稳定导致误操作。这些特性使得RT3N11M-T111-1非常适合用于对电源稳定性要求较高的工业自动化、网络通信设备以及嵌入式处理器供电系统中。
RT3N11M-T111-1适用于多种需要高效、小尺寸电源模块的应用场景。典型应用包括工业控制设备中的微控制器(MCU)、FPGA或DSP的核电压与I/O电压供电;消费类电子产品如智能家电、机顶盒、路由器等的板级电源转换;安防监控摄像头的直流电源管理模块;以及各类基于ARM架构的嵌入式系统。由于其宽输入电压范围和高效率特性,该芯片也常被用于由12V适配器供电的设备中进行二次稳压,例如将12V转换为3.3V或5V为传感器、Wi-Fi模组或存储器供电。此外,在汽车电子辅助系统(非车载动力部分)中,RT3N11M-T111-1可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的低压电源供应,因其具备良好的抗干扰能力和温度适应性。对于需要多路电源轨的设计,RT3N11M-T111-1可作为其中一路高效的Buck电源使用,配合LDO或其他DC-DC器件构建完整的电源树结构。其小型化封装特别适合空间受限的便携式设备,如手持终端、POS机、医疗仪器等。开发人员可通过合理布局功率路径、选用合适的输入/输出电容和电感,充分发挥该芯片的性能优势,实现高密度、高可靠性的电源设计方案。
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