型号：RT1N14BC-T112
　　制造商：Renesas Electronics
　　封装类型：SOD-123FL
　　极性：标准二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大均方根电压（VRMS）：70V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：1.1V @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 100V
　　最大反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：250°C/W
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RT1N14BC-T112具备卓越的高频整流性能，得益于其极短的反向恢复时间（典型值仅为4ns），使其在高频开关电源环境中表现出色。这种快速恢复能力显著降低了开关过程中的能量损耗，减少了电磁干扰（EMI）的产生，有助于提升电源系统的整体能效和稳定性。在实际应用中，尤其是在DC-DC转换器或反激式电源拓扑中，该特性可以有效防止因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电流振荡问题，从而保护主控IC和其他关键元件。
　　该器件的最大正向平均整流电流为1A，在SOD-123FL这样微型的封装下实现了较高的电流承载能力，体现了先进的芯片设计与热管理技术。尽管封装体积小，但其内部结构优化了散热路径，能够在有限的空间内有效传导热量，避免局部过热导致的性能下降或早期失效。同时，其最大正向电压降在1A条件下仅为1.1V，这一低导通压降意味着更少的功率损耗和更高的转换效率，特别适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。
　　RT1N14BC-T112的反向耐压达到100V，足以应对大多数低压直流电源系统的需求，如12V、24V甚至48V工业控制电源系统。其反向漏电流极低，在常温下不超过5μA，即使在高温环境下也能保持较好的阻断性能，确保电路在待机或轻载状态下的低功耗表现。此外，高达30A的峰值浪涌电流承受能力使其能够抵御瞬态过电流冲击，例如开机瞬间的电容充电电流，增强了系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。
　　该二极管采用SOD-123FL封装，尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，非常适合高密度PCB布局，支持自动贴片设备进行高速装配，提升了生产效率。其引脚材料为铜合金并镀锡处理，具有良好的可焊性和抗氧化性能，适用于无铅回流焊工艺，符合现代电子制造的环保趋势。整体而言，RT1N14BC-T112通过将小型化、高效能与高可靠性相结合，满足了当前电子设备不断追求轻薄短小和节能环保的发展方向。

RT1N14BC-T112广泛应用于多种低功率至中等功率的电子系统中，尤其适合需要高效整流和空间节省的设计场景。在消费类电子产品中，它常被用于手机充电器、蓝牙耳机、智能手表等便携设备的电源输入端，作为交流转直流的第一级整流元件，提供稳定的直流电压给后续稳压电路使用。在LED照明领域，该二极管可用于AC-DC驱动电源中的桥式整流部分，帮助将市电转换为适合LED灯珠工作的直流电源，其快速恢复特性有助于减少高频噪声对光效的影响。
　　在通信设备中，RT1N14BC-T112可用于以太网供电（PoE）模块、路由器和调制解调器的辅助电源电路中，实现电压隔离与整流功能。其高可靠性和宽温度工作范围也使其适用于工业控制系统，如PLC模块、传感器供电单元和小型继电器驱动电路，在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行。此外，在汽车电子系统中，虽然不直接用于主动力系统，但在车载信息娱乐系统、仪表盘电源管理或USB充电接口中也可找到其应用踪迹，特别是在12V车载电源的整流环节。
　　该器件还常见于各类开关模式电源（SMPS）设计中，包括反激式、正激式和降压拓扑结构，用于输出侧的续流或同步整流辅助通道。由于其快速恢复能力和低正向压降，能够有效降低开关损耗，提升电源效率。在嵌入式系统和物联网设备中，RT1N14BC-T112可用于电源极性保护电路，防止反接损坏MCU或其他敏感元件。总之，凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，RT1N14BC-T112已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

RB156V-40TR
　　FDML86108
　　MBR1100T1G
　　B1100LS