时间:2025/12/28 4:51:37
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RT1N136C-T112-1是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管(SBD),采用小型化SOD-123FL封装。该器件专为高效率、低功耗应用设计,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路和信号整流场合。其主要特点是具有较低的正向导通电压(VF),可有效减少功率损耗,同时具备快速开关特性,适合高频工作环境。RT1N136C-T112-1的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,符合工业级和汽车级应用的可靠性要求。此外,该产品符合RoHS环保标准,不含铅、镉等有害物质,并满足AEC-Q101车规级认证,适用于汽车电子系统中的各种严苛环境。由于其小尺寸封装和优异的电气性能,RT1N136C-T112-1在智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及车载信息娱乐系统中均有广泛应用。该器件通过优化芯片结构和材料工艺,实现了稳定的反向击穿电压特性和较低的漏电流,从而提升了整体系统的能效与可靠性。
型号:RT1N136C-T112-1
类型:肖特基势垒二极管
封装形式:SOD-123FL
极性:单二极管
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大正向平均电流(IF(AV)):1A
峰值脉冲正向电流(IFSM):30A
最大正向电压降(VF):0.52V @ 1A
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 25°C, 40V
反向恢复时间(trr):典型值 < 10ns
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
安装方式:表面贴装
符合标准:RoHS, AEC-Q101
RT1N136C-T112-1具备优异的电学性能和热稳定性,其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术,使得该二极管在正向导通状态下表现出极低的压降特性。在1A的正向电流下,其最大正向电压仅为0.52V,显著低于传统PN结二极管,这不仅降低了能量损耗,还减少了发热问题,提高了电源转换效率。这种低VF特性特别适用于电池供电设备,有助于延长续航时间。
该器件的反向恢复时间极短,典型值小于10纳秒,因此非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护电路中。快速的开关响应能力可以有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统运行的稳定性和安全性。此外,由于其固有的金属-半导体结结构,肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应,进一步加快了开关速度,避免了传统二极管常见的反向恢复电荷问题。
SOD-123FL封装是一种超小型表面贴装封装,外形尺寸约为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm,占用PCB空间极小,便于实现高密度电路布局,适用于对空间敏感的便携式电子产品。尽管体积小巧,但其内部引线结构和散热设计经过优化,仍能支持1A的连续正向电流和高达30A的浪涌电流,展现出良好的电流承载能力和瞬态耐受能力。
RT1N136C-T112-1通过了AEC-Q101车规级认证,意味着它在高温、高湿、振动和温度循环等恶劣条件下仍能保持可靠工作,可用于汽车前灯驱动、车载充电模块、车身控制单元等应用场景。同时,其宽达-55°C至+150°C的工作结温范围,使其能够在极端气候环境中稳定运行,适应从寒带地区到热带地区的广泛地理部署需求。
RT1N136C-T112-1因其高效能、小尺寸和高可靠性,被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,常用于手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统中,作为防反接保护二极管或DC-DC升压/降压电路中的整流元件。其低正向压降有助于提高电池能量利用率,延长设备使用时间。
在工业控制和自动化设备中,该器件可用于传感器供电回路、PLC输入输出模块的钳位保护电路以及隔离电源的续流二极管。由于其快速响应能力,能够有效吸收感性负载断开时产生的反电动势,防止损坏敏感的控制芯片。
在汽车电子方面,RT1N136C-T112-1适用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、电动门窗控制器、倒车雷达电源管理等模块。尤其是在启停系统和12V低压配电网络中,该二极管可用于防止电池反接造成的损坏,并在瞬态电压波动时提供可靠的保护作用。
此外,在通信设备如路由器、交换机和基站电源模块中,该器件也常用于电源整流和电压箝位功能,确保电源轨的稳定性和抗干扰能力。其高频特性使其成为开关电源次级侧整流的理想选择,尤其在同步整流架构尚未普及的小功率应用中具有成本和性能优势。
RB156V-40,RB520S-40,SUMD340,SS14-S