类型：P沟道
　　极性：P-Channel
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A（Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（Max）@ Vgs = -10V, Id = -2.8A
　　阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（Typ）@ Vds = 15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SA979的特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗，提升整体能效。该器件在Vgs = -10V条件下，Rds(on)最大值仅为45mΩ，这一数值在同类P沟道MOSFET中处于较高水平，特别适用于需要高效能量传输的便携式电子设备和电池管理系统。低Rds(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计并提高系统可靠性。
　　另一个重要特性是其优异的开关性能。2SA979具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使其能够实现快速的开关响应，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。低电容特性减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，尤其适合由微控制器直接驱动的应用。同时，快速的开关速度有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而缩小整体电路体积。
　　该器件还具备良好的热稳定性与过载承受能力。其最大结温可达+150°C，并采用热增强型封装设计，确保在高温环境下仍能稳定工作。内部结构经过优化，可有效抑制热失控现象，增强了长期运行的可靠性。此外，2SA979内置一定程度的ESD保护机制，提升了在生产装配和实际使用过程中的抗干扰能力，降低了因静电放电导致损坏的风险。
　　2SA979的P沟道结构使其在高端开关应用中具有天然优势，无需复杂的电平移位电路即可实现负载的直接控制，简化了电源管理设计。相比N沟道MOSFET在高端驱动中需要 bootstrap 电路或专用驱动器的情况，2SA979在许多低压系统中提供了更简洁、成本更低的解决方案。

2SA979常用于各类低电压、中等电流的电源开关与控制电路中。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、数码相机）中的电池供电管理与负载开关控制，用于在不同功能模块之间切换电源以节省能耗。在这些设备中，2SA979可以作为主电源开关或背光驱动的控制元件，利用其低导通电阻和快速响应特性实现高效的能量分配。
　　该器件也广泛应用于DC-DC降压转换器（Buck Converter）的高端开关部分，特别是在输入电压较低（如5V或3.3V）的系统中，2SA979能够提供稳定的开关性能，配合PWM控制器实现高效的电压调节。此外，在电机驱动电路、继电器驱动和LED驱动模块中，2SA979可用于控制电流的通断，因其具备良好的瞬态响应能力和过流耐受性。
　　工业控制领域也是2SA979的重要应用场景之一。例如，在PLC模块、传感器供电电路和嵌入式控制系统中，该器件可用于实现远程电源控制或故障隔离功能。其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于恶劣环境下的长期运行。
　　此外，2SA979还可用于USB电源开关、热插拔电路和备用电源切换等场合，提供安全可靠的电源路径控制。在这些应用中，其快速关断能力和低静态功耗尤为重要，有助于防止电流倒灌和系统异常启动。

2SA1037, 2SA1107, FMMT718, SMBT3906