型号：RSY160P05FU7TL
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-60V
　　连续漏极电流（ID）：-13A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-52A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：5.4mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻RDS(on)：7.0mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-2.0V ~ -4.0V
　　输入电容（Ciss）：2200pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：850pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快速恢复
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

RSY160P05FU7TL采用瑞萨先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能，特别适合对功耗敏感的应用场合。其RDS(on)典型值仅为5.4mΩ（在VGS=-10V时），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体电源转换效率。由于是P沟道结构，该器件常用于高侧开关配置，在电源路径控制中无需额外的电荷泵电路即可实现负载断开或电池反接保护功能，从而简化系统架构并降低成本。
　　该器件具有出色的热稳定性和长期可靠性，能够在高达150°C的工作结温下持续运行，适应严苛的工业和车载环境。其封装采用PowerPAK SO-8，不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，通过底部裸露焊盘有效传导热量至PCB，增强热管理能力。同时，该封装符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊接工艺，满足现代绿色电子制造要求。
　　RSY160P05FU7TL的栅极驱动电压范围宽广，支持±20V的最大栅源电压，确保在各种电压波动情况下仍能安全操作。其阈值电压范围设定在-2.0V至-4.0V之间，保证了良好的开启一致性，并避免因阈值漂移导致的误动作。输入电容和输出电容较低，有助于减少驱动损耗和开关延迟，提升高频工作的响应速度。尽管作为P沟道器件其开关速度略低于同类N沟道产品，但在大多数中低频电源开关应用中表现足够优异。
　　该MOSFET内置有保护机制，如过温保护依赖外部电路配合使用，并具备一定的抗静电（ESD）能力。虽然其体二极管不具备快速恢复特性，但在非高频整流应用中仍可提供基本的续流路径。总体来看，RSY160P05FU7TL在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡，是一款适用于多种电源管理任务的高性能P沟道MOSFET器件。

RSY160P05FU7TL广泛应用于需要高效电源开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池供电管理模块，例如智能手机、平板电脑和移动电源，用作主电源开关以控制电池与系统之间的连接，实现低静态功耗待机模式和安全断电功能。在这些应用中，其低导通电阻可最大限度减少电压降和发热，延长续航时间。
　　该器件也常用于各类DC-DC转换器的同步整流或高端开关拓扑中，尤其是在负压生成电路或负电源轨调节中发挥关键作用。此外，在服务器和网络通信设备的冗余电源切换、热插拔控制电路中，RSY160P05FU7TL能够提供快速响应的电源通断控制，防止电流冲击和电压反灌，保障系统稳定性。
　　在工业自动化控制系统中，它可用于PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电路中的负载开关，实现精确的电源分配与故障隔离。由于其具备良好的温度适应性，也可应用于车载电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电池管理系统中，承担电源路径管理任务。
　　此外，RSY160P05FU7TL还可用于USB供电接口、Type-C PD电源路径管理、LED驱动电源以及各类嵌入式系统的上电复位和电源序列控制电路中。凭借其小封装、高可靠性与逻辑电平兼容性，成为现代高密度电子设计中理想的功率开关选择。

RSM160P05THL
　　APM2556P-10GLG
　　SI4495BDY-T1-GE3