RSS085N05TB 时间：2025/5/27 19:04:27 阅读：11

RSS085N05TB 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 Small Outline Transistor (SOT) 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力，非常适合用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
　　该型号属于超薄小型封装的 MOSFET 系列，其设计目标是为消费类电子产品和便携式设备提供高效且紧凑的解决方案。

参数

最大漏源电压（Vds）：50V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗（Ptot）：1.1W
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

RSS085N05TB 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻确保了高效的电能转换，降低了功率损耗。
　　2. 快速开关性能使其在高频应用中表现优异，例如开关电源和 PWM 控制电路。
　　3. 小型化封装节省了 PCB 空间，适合对空间要求严格的便携式设备。
　　4. 高耐压能力（高达 50V）增强了器件的可靠性和适用性。
　　5. 提供卓越的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

应用

RSS085N05TB 广泛应用于以下领域：
　　1. 手机和平板电脑中的负载开关和电池保护电路。
　　2. 各类 DC-DC 转换器，包括降压和升压转换器。
　　3. 便携式电子设备中的电机驱动和控制。
　　4. 电源管理系统中的过流保护和短路保护。
　　5. LED 驱动器和其他低功率电源管理应用。