RSR020P03 TL 时间：2025/12/25 11:41:57 阅读：16

RSR020P03 TL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和开关应用设计。该器件采用紧凑型封装技术，适用于对空间要求严苛的便携式电子设备和高密度电路板布局。RSR020P03 TL基于先进的沟槽栅极工艺制造，能够在低电压条件下实现优异的导通性能与开关速度，同时保持较低的功耗。其主要目标市场包括电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关、热插拔控制器以及各类需要快速响应和低静态电流的应用场景。该MOSFET在设计上优化了热稳定性和抗雪崩能力，确保在瞬态负载或短路情况下仍能可靠运行。此外，产品符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，适合用于绿色电子产品制造。RSR020P03 TL通常以卷带包装形式供应，便于自动化贴片生产线使用，提升了大规模制造的效率和一致性。

参数

型号：RSR020P03 TL
　　类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-11A @ -10V VGS
　　脉冲漏极电流(IDM)：-38A
　　导通电阻(RDS(on))：20mΩ @ -10V VGS, 20mΩ @ -4.5V VGS
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：960pF @ -15V VDS
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装/焊盘：SOP-8 Power Package (表面贴装)
　　极性：P-Channel

特性

RSR020P03 TL采用ROHM先进的Trench MOS工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗并提升整体系统效率。其典型RDS(on)仅为20mΩ，在同类P沟道MOSFET中表现出色，尤其适用于大电流开关场合。该器件具有快速开关响应能力，输入电容Ciss仅为960pF，配合较低的栅极电荷Qg，有助于降低驱动功耗并提高PWM控制精度。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，SOP-8 Power Package封装具备优良的散热性能，允许在高温环境下持续工作而不影响可靠性。其最大结温可达+150℃，支持宽范围工业级和消费级应用场景。同时，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和抗过载能力，可有效应对突发电压冲击或感性负载断开时产生的反电动势。
　　RSR020P03 TL的阈值电压Vth在-1.0V至-2.0V之间，确保在逻辑电平信号下即可实现完全导通，兼容多种低压控制IC输出。此外，该器件支持双栅极引脚设计（Source-Grounded Gate），有助于降低寄生电感，改善高频噪声抑制能力，提升EMI性能。在DC-DC同步整流应用中，能够有效替代传统二极管，大幅提高转换效率。
　　产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适合汽车电子中的辅助电源管理模块使用。整体而言，RSR020P03 TL是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，兼顾低功耗、小尺寸和强鲁棒性，广泛适用于现代高效电源系统设计。