时间：2025/5/22 23:11:15
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RSR020N06TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其额定电压为 60V，持续电流能力为 2.0A，能够在高频开关条件下提供高效性能。
RSR020N06TL 的设计注重降低功耗并提高系统效率，特别适合于对空间和热管理有严格要求的紧凑型应用。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：2.0A
导通电阻（典型值）：130mΩ
栅极电荷（典型值）：4nC
总电容（输入电容）：180pF
最大功耗：790mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输，减少了发热问题。
2. 快速的开关速度有助于降低开关损耗，从而提升整体效率。
3. 高雪崩击穿能量增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备较低的栅极电荷，便于驱动且减少驱动电路复杂度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设备的设计需求。
6. 小巧的 TO-252 封装形式节省 PCB 空间，适合便携式和紧凑型设计。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. LED 驱动器中的电流调节和开关功能。
5. 各类消费类电子产品中的电源管理单元。
6. 工业自动化设备中的信号隔离和功率切换。
IRLML6402
AO3400
FDP067N06S
