RSQ045N03TR 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性。其封装形式为 TO-Leadless(TOLL),适合表面贴装应用。RSQ045N03TR 常用于消费电子、工业控制和通信设备中的功率转换和电机驱动等场景。
该 MOSFET 的额定电压为 30V,适合中低压应用环境,同时其优化的热性能使其能够在紧凑的设计中保持高效运行。通过将低导通损耗与快速开关性能相结合,RSQ045N03TR 成为了高性能电源管理的理想选择。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:127A
最大栅极源极电压:±20V
RDS(on)(典型值,25°C):1.2mΩ
总栅极电荷:48nC
开关速度:高速
封装:TO-Leadless (TOLL)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
RSQ045N03TR 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),在 25°C 下仅为 1.2mΩ,从而降低了传导损耗并提升了效率。
2. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 127A,适用于大功率应用。
3. 快速开关性能,总栅极电荷仅为 48nC,减少了开关损耗。
4. 良好的热性能,封装设计有助于高效的热量散发。
5. 宽广的工作温度范围,支持从 -55°C 到 175°C 的极端条件。
6. 采用无引脚的 TOLL 封装,节省空间并提供卓越的机械稳定性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
RSQ045N03TR 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 电池管理系统(BMS),用于保护和控制锂离子电池组。
4. 工业自动化设备中的功率级模块。
5. 通信基础设施中的负载切换和电源分配。
6. 汽车电子系统中的辅助功能,如电动助力转向(EPS)和电动泵控制。
7. 大功率 LED 驱动器,用于照明应用。
IRLB8748PBF, FDP16N03L