型号：RSQ035P03TR
　　极性：P沟道
　　漏源电压VDS：-30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：-1.8A
　　脉冲漏极电流IDM：-4.2A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：35mΩ 最大值
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：45mΩ 最大值
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -1.8V：60mΩ 最大值
　　阈值电压Vth：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容Ciss：290pF 典型值
　　输出电容Coss：170pF 典型值
　　反向恢复时间trr：<5ns
　　功耗PD：700mW
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN1006（1.0mm x 0.6mm）
　　引脚数：4

RSQ035P03TR的核心优势在于其超低导通电阻与微型化封装的结合，这使得它在便携式设备中能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件在VGS=-4.5V时的RDS(on)最大仅为35mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少导通状态下的I2R损耗，从而延长电池续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压下（如-2.5V或-1.8V），其导通电阻仍保持在一个较低范围内，确保了在低压逻辑控制信号下的可靠开关性能，特别适合用于1.8V或3.3V逻辑电平直接驱动的应用场景。
　　得益于Rohm先进的沟槽结构设计，RSQ035P03TR实现了优异的开关特性，包括快速的开关响应时间和极短的反向恢复时间（trr <5ns），有效降低了开关过程中的能量损耗，提升了整体能效。这种高速切换能力尤其适用于高频DC-DC变换器和同步整流电路，有助于减小外部滤波元件尺寸，进而缩小整个电源模块的体积。此外，该器件具备出色的热稳定性，能够在高温环境下持续工作而不发生性能退化，其最大结温可达+150°C，满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。
　　RSQ035P03TR采用DFN1006超小型封装，底部带有散热焊盘，不仅节省PCB空间，还通过增强的热传导路径有效散发内部热量，提高了长期工作的可靠性。该封装形式支持回流焊工艺，便于自动化生产，适用于大规模SMT贴装。器件本身具有良好的抗静电能力（ESD保护）和抗浪涌电流能力，能够在电源插拔或负载突变等瞬态工况下保持稳定运行。综合来看，RSQ035P03TR是一款高性能、高集成度的P沟道MOSFET，凭借其低RDS(on)、小尺寸、高效率和高可靠性的特点，成为现代低功耗电源管理系统的理想选择。

RSQ035P03TR广泛应用于各类对空间和能效有严格要求的便携式电子设备中。典型应用场景包括移动设备中的电源开关和负载开关，例如智能手机和平板电脑中的外设供电控制，用于实现不同模块的上电时序管理和节能关断功能。在电池供电系统中，该器件常被用作高端开关，配合控制器实现精确的电源通断控制，防止反向电流流动，提升系统安全性。此外，它也适用于低压DC-DC降压转换器的同步整流环节，替代传统二极管以降低整流损耗，提高转换效率。
　　在物联网（IoT）节点、智能传感器和可穿戴设备中，RSQ035P03TR因其微型封装和低静态功耗特性而备受青睐，有助于构建紧凑且长续航的产品形态。该器件还可用于USB电源管理、充电管理电路以及各类嵌入式控制系统中的电机驱动或继电器驱动接口，作为功率开关元件使用。由于其具备良好的瞬态响应能力和热稳定性，也能胜任工业手持设备、医疗监测仪器等对可靠性要求较高的领域。总之，凡是在30V以下电压范围需要高效、小型化P沟道MOSFET解决方案的场合，RSQ035P03TR都是一种极具竞争力的选择。

DMG2305LU,RCLAMP0524P,RCLAMP0524PA