时间：2025/12/25 10:35:27
阅读：13
RSQ025P03TR是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，能够在低电压条件下提供优异的导通性能和开关特性，适用于多种便携式设备及工业控制领域。RSQ025P03TR以其小型化封装、低导通电阻和高可靠性著称，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电系统以及热插拔电路中。其额定电压为-30V，最大连续漏极电流可达-2.5A，适合在空间受限但对功耗敏感的应用场景下使用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能在较宽的温度范围内稳定工作，确保系统长期运行的可靠性。产品符合RoHS环保标准，并采用无铅封装技术，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
型号：RSQ025P03TR
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-2.5A
脉冲漏极电流（IDM）：-8A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -4.5V
栅极电荷（Qg）：9nC @ VGS = -10V
输入电容（Ciss）：470pF @ VDS = -15V
反向恢复时间（trr）：32ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：PowerPAK SC-70-6S
安装方式：表面贴装
通道数：单通道
RSQ025P03TR采用先进的沟槽栅极MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在低电压电源管理应用中表现出色。其45mΩ的超低RDS(on)在VGS=-10V条件下可显著降低导通损耗，提高整体系统效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。器件具有快速开关响应能力，输入电容仅为470pF，在高频DC-DC转换器中能有效减少驱动损耗并提升动态响应速度。栅极电荷低至9nC，进一步降低了开关过程中的能量消耗，有助于实现更高的功率密度设计。
该MOSFET具备出色的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，适应严苛的工作环境。其PowerPAK SC-70-6S封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还优化了散热路径，提升了功率处理能力。相比传统SOT-23或SC-70封装，该封装形式提供了更好的电流承载能力和热性能。此外，RSQ025P03TR内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（32ns），可在同步整流等应用中减少反向恢复损耗，防止电压尖峰引起的潜在损坏。
产品符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备高抗干扰能力和长期稳定性，适用于车载电子系统如车身控制模块、LED照明驱动和车载充电接口。同时，其无铅、无卤素的环保设计满足RoHS和Green Package要求，支持绿色制造趋势。内置的静电放电（ESD）保护结构增强了器件在生产装配和现场使用中的鲁棒性。总体而言，RSQ025P03TR是一款高性能、高集成度的P沟道MOSFET，适用于追求高效能与小型化的现代电子系统。
RSQ025P03TR广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关与负载管理电路；也常用于各类DC-DC降压或升降压转换器中作为高端或低端开关器件；在工业控制系统中用于继电器驱动、电机控制和传感器供电模块；此外还适用于电池管理系统（BMS）、USB电源开关、热插拔控制器以及汽车电子中的低功率电源分配单元。
SQJ442EP-T1_GE3
DMG2302UKTQ
