型号：RSN35H2
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：18A
　　脉冲漏极电流IDM：70A
　　导通电阻RDS(on)（max）：4.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)（max）：6.0mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷Qg（典型值）：19nC @ VGS=10V
　　输入电容Ciss：920pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间td(on)：10ns
　　关断延迟时间td(off)：20ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

RSN35H2采用瑞萨专有的高性能沟槽栅极MOSFET技术，具备极低的导通电阻RDS(on)，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提升了整个电源系统的转换效率。该器件在VGS=10V时，最大RDS(on)仅为4.5mΩ，即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），其导通电阻也能保持在6.0mΩ以内，表现出良好的栅极驱动兼容性，尤其适合与逻辑电平输出的控制器或驱动IC直接接口。
　　该器件具有出色的热性能和电流处理能力，能够在18A的连续漏极电流下稳定运行（在25°C环境温度下），同时支持高达70A的脉冲漏极电流，适用于短时大电流冲击的应用场景，例如电机启动或瞬态负载切换。其低栅极电荷（Qg=19nC）和输入电容（Ciss=920pF）特性有效减少了开关过程中的驱动功耗，加快了开关速度，进一步提高了高频开关应用中的效率表现。
　　RSN35H2的封装采用无铅且符合RoHS标准的PowerPAK SO-8封装，不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，增强热管理能力。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境温度下依然能够可靠运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然未配备专门的快恢复二极管，但在同步整流等应用中仍能提供可接受的性能表现。综合来看，RSN35H2在导通损耗、开关速度、封装尺寸和热性能之间实现了良好平衡，是一款适用于高密度、高效率电源设计的理想N沟道MOSFET器件。

RSN35H2广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器（Buck Converter），特别是在VRM（电压调节模块）和CPU/GPU供电电路中作为低边或高边开关使用，其低RDS(on)和快速开关特性有助于提高电源效率并减少发热。该器件也常用于DC-DC电源模块、笔记本电脑适配器、便携式设备电源管理系统以及电池供电设备中的电源开关控制。
　　在电机驱动领域，RSN35H2可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为桥臂开关元件，实现正反转和调速功能。由于其支持较高的脉冲电流，能够应对电机启动时的浪涌电流，保障系统稳定运行。此外，在热插拔控制器、负载开关电路和过流保护装置中，RSN35H2也可作为主控开关器件，利用其快速响应能力和低导通压降来实现高效能的电源通断控制。
　　在通信设备和网络基础设施中，该器件适用于板载电源分配系统，用于多路电源轨的开关与管理。其小型化封装有利于高密度PCB布局，满足现代通信模块对空间和散热的严苛要求。同时，RSN35H2还可用于LED驱动电源、USB PD充电器、智能家电控制板等消费类电子产品中，提供可靠的功率切换能力。凭借其优异的电气性能和稳定性，该器件亦可用于部分车载电子系统，如车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理等非主驱应用场景。

SiHH35N30D-S,RSA35N30E,FDN360P