制造商：ROHM Semiconductor
　　产品系列：RSN311
　　存储类型：易失性SRAM
　　存储容量：64 Kbit
　　组织结构：8K × 8
　　接口类型：SPI（四线制）
　　时钟频率：最高10 MHz
　　工作电压范围：1.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：WLCSP-8 或类似小型封装
　　写保护功能：支持通过指令实现软件写保护
　　待机电流：典型值0.1 μA（最大1 μA）
　　工作电流：典型值3 mA（@ 10 MHz）
　　可靠性：数据保持时间 > 10 年（在最低工作电压下）

RSN311W64D-P具备多项先进特性，使其在同类SRAM产品中表现出色。首先，其低电压操作能力（1.7V~3.6V）使得该芯片能够兼容多种低功耗微控制器和电池供电系统，显著延长设备的续航时间。其次，该器件支持标准SPI协议，通信接口简单，易于与主流MCU（如ARM Cortex-M系列、STM32、ESP32等）进行连接，减少开发难度和系统复杂度。其高达10 MHz的SPI时钟频率保证了快速的数据读写性能，适用于需要频繁缓存或临时存储的应用场景，例如传感器数据采集、音频缓冲或显示帧缓存处理。
　　另一个关键特性是其极低的待机电流（典型值0.1μA），这使得RSN311W64D-P非常适合用于待机时间长、唤醒频繁的物联网节点或可穿戴设备。即使在深度睡眠模式下，主控MCU也可以关闭大部分电源，仅维持SRAM供电以保存关键运行状态信息，从而实现快速唤醒和恢复执行。此外，该芯片支持软件写保护功能，可通过发送特定指令锁定存储区域，防止因误操作或噪声干扰导致的数据损坏，提升系统的数据安全性与稳定性。
　　RSN311W64D-P还具备出色的抗噪能力和温度稳定性，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内均可正常工作，适合部署于恶劣环境下的工业自动化设备或户外终端。其全静态SRAM架构无需刷新操作，避免了动态RAM常见的刷新中断问题，确保数据连续可用。同时，由于采用CMOS工艺制造，芯片内部功耗低，发热少，有利于提高系统整体能效。封装方面，采用WLCSP等超小型封装技术，不仅节省空间，还优化了信号完整性，减少了寄生电感和电容的影响，提升了高频工作的稳定性。

RSN311W64D-P广泛应用于对空间、功耗和可靠性有较高要求的电子系统中。在便携式医疗设备中，如血糖仪、心率监测器和智能体温计，该芯片可用于临时存储患者测量数据和设备配置信息，在设备关机前保留上下文状态以便下次快速启动。在工业控制领域，它常被用作PLC模块或传感器节点中的高速缓存，协助主控处理器暂存实时采集的数据或程序变量，提升响应速度和处理效率。
　　在消费类电子产品中，RSN311W64D-P适用于智能手表、TWS耳机、电子标签等小型化设备，作为主控芯片的扩展内存使用，弥补MCU内部RAM容量不足的问题。特别是在图形显示应用中，它可以用来存储单色或灰度显示屏的一帧图像数据，减轻主处理器负担。此外，在无线通信模块（如LoRa、NB-IoT、Zigbee）中，该SRAM可用于存储待发送的数据包或接收缓冲区，确保通信过程的连续性和完整性。
　　对于需要长时间断电保存设置参数但又不希望使用EEPROM或Flash的系统，RSN311W64D-P结合备用电池或超级电容可实现“伪非易失”功能，即在主电源断开时由备用电源维持SRAM供电，从而实现毫秒级唤醒和状态恢复，优于传统存储器的擦写延迟。这种特性在安防系统、智能电表和远程监控终端中具有重要价值。此外，该芯片也适用于需要高可靠性数据缓冲的测试仪器、数据记录仪和汽车电子模块中，保障关键数据不丢失。

BR25H640-W
　　 M95640-RMN6TP
　　 S25AL064A