EPC2L120N 时间：2025/7/19 8:30:22 阅读：2

EPC2L120N 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司生产的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），设计用于高效率、高频的功率转换应用。与传统硅基MOSFET相比，EPC2L120N在导通电阻、开关损耗和封装尺寸方面具有显著优势，适用于DC-DC转换器、同步整流器、无线充电系统和电机驱动器等应用。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：35A（在TC=100°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（最大）
　　栅极电荷（QG）：6.8nC
　　输出电容（COSS）：300pF
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：四方扁平无引线封装（QFN）
　　功率耗散：2.5W

特性

EPC2L120N 采用先进的氮化镓（GaN）半导体技术，具有极低的导通电阻和极快的开关速度，适用于高频功率转换系统。其增强型结构确保在栅极电压为零时器件处于关断状态，提高了系统的安全性。此外，EPC2L120N 具有非常低的栅极电荷和输出电容，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了系统效率。
　　该器件采用无引线QFN封装，热阻低，有助于提高散热效率，同时减小PCB布线中的寄生电感。EPC2L120N 的高耐压能力（100V）和大电流承载能力（35A）使其适用于多种高功率密度设计，例如服务器电源、DC-DC转换器、同步整流电路和电机控制模块。
　　与传统硅基MOSFET相比，EPC2L120N 在高频应用中展现出更优异的性能。由于氮化镓材料的特性，该器件具备更高的电子迁移率，允许在更高频率下运行，同时保持较低的导通和开关损耗。这使得EPC2L120N 成为高性能电源系统设计的理想选择。