型号：RSJ550N10TL
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：130A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：400A
　　导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ @ VGS=10V, ID=65A
　　导通电阻(RDS(on))：7.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=65A
　　门极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：8000pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TSLM8 (LFPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS

RSJ550N10TL采用罗姆专有的沟槽栅极结构与场板优化设计，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了高达5.5mΩ的超低RDS(on)，这在同级别100V N沟道MOSFET中处于领先水平。这种低导通电阻特性使其在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提高电源转换效率，并降低发热，进而延长系统寿命。器件在VGS=10V条件下可支持最高130A的连续漏极电流，在短时脉冲工况下更可承受达400A的峰值电流，展现出卓越的电流处理能力。
　　该MOSFET具备出色的开关性能，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），在高频开关应用如同步整流、半桥/全桥拓扑中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，不仅降低了驱动损耗，也允许使用更小的驱动IC，简化了外围设计。同时，较短的反向恢复时间（trr=25ns）减少了体二极管在开关瞬间引起的反向恢复电流尖峰，提升了系统的EMI表现和可靠性，特别有利于硬开关拓扑中的安全运行。
　　TSLM8封装是RSJ550N10TL的一大亮点，它是一种双侧冷却的LFPAK封装形式，通过顶部和底部同时进行热量传导，大幅提升了散热效率。相比传统DPAK或LFPAK单面散热方案，该封装可将热阻（Rth(j-c)）降至更低水平，使器件即使在高功率密度条件下也能维持较低的工作结温。此外，表面贴装的设计兼容自动化回流焊工艺，提高了生产良率和一致性，适用于大规模批量制造场景。
　　该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在温度循环、高温反偏、高压应力测试等多项严苛试验中均满足汽车行业标准，可用于车载充电系统、DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）等关键部件。同时，产品符合RoHS指令要求，不含铅及其他有害物质，支持绿色环保制造理念。综合来看，RSJ550N10TL是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热管理有高要求的应用场合。

RSJ550N10TL主要应用于需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。典型用途包括车载电源系统，如车载逆变器、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及电动车辆中的辅助电源模块。其高电流承载能力和优异的散热设计使其非常适合在高温、高振动的汽车环境中稳定运行。此外，该器件也被广泛用于工业电源设备，例如服务器电源、通信电源、UPS不间断电源中的同步整流电路或初级侧开关元件。
　　在电机驱动领域，RSJ550N10TL可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路中，作为上下桥臂开关管使用。其低导通电阻可减少发热，提升驱动效率，而快速的开关响应则有助于实现精确的PWM调速控制。在消费类电子产品中，如高端笔记本电脑、游戏主机、大功率LED照明电源等，该MOSFET可用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU或GPU提供稳定的低压大电流供电。
　　由于其符合AEC-Q101标准，RSJ550N10TL在汽车电子中的应用尤为突出，常被选用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载信息娱乐系统、电动空调压缩机控制器等模块中。其双侧冷却封装特别适合安装在带有散热底板或金属芯PCB（MCPCB）的系统中，进一步提升热管理能力。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、高可靠性及紧凑布局的中高功率开关电源和功率控制系统。

SCT3100ALHR
　　RSJ450N10ATL
　　BUK7Y2R9-100E
　　IPB019N10N3