类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：120V
　　最大漏极电流(Id)：30A @25°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为12mΩ @Vgs=10V
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220
　　技术：沟槽栅MOSFET

RSH30S12G 具备一系列高性能特性，使其适用于多种功率应用。首先，该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其Rds(on)典型值仅为12mΩ，这在高电流应用中尤为重要，能够有效降低功率损耗和温升。
　　其次，RSH30S12G 的最大漏源电压为120V，支持在中高电压系统中使用，如12V、24V或48V电源系统。其额定漏极电流高达30A，在良好的散热条件下可支持高负载应用。此外，该器件具有较高的栅极耐压能力，最大栅极电压可达±20V，增强了其在复杂驱动环境下的可靠性。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的热管理能力，适合安装在标准散热片上，从而有效提高散热效率。TO-220封装也便于在PCB上安装和布线，适合工业级和消费级电源设计。
　　RSH30S12G 还具备优异的开关性能，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。这使得它非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路等需要快速开关的应用场景。

RSH30S12G 主要应用于各种中高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、低导通损耗和良好热管理的场合。其典型应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。
　　由于其高电流能力和低Rds(on)，该MOSFET非常适合用于高效率的电源转换系统，例如服务器电源、通信设备电源、LED驱动电源以及电动汽车中的辅助电源系统。此外，其良好的高频开关性能也使其成为谐振变换器和LLC转换器中的理想选择。
　　在电机控制方面，RSH30S12G 可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。其高耐压特性也使其适合用于高电压电机驱动系统，例如电动工具或工业机器人中的驱动模块。

SiR120N120, FDPF30N120, STP30NF12